[发明专利]薄膜晶体管基板与薄膜晶体管母基板有效

专利信息
申请号: 200810067675.2 申请日: 2008-06-06
公开(公告)号: CN101599496A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 简传枝;黄上育;谢朝桦 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/482;H01L23/52;G02F1/1362
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 母基板
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种薄膜晶体管基板及一种薄膜晶体管母基板。

背景技术

目前,由于液晶显示装置具有轻、薄、小等特点,已被广泛应用于手机、笔记本电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)及多种办公自动化与视听设备中。

薄膜晶体管基板是液晶显示装置的主要元件,在薄膜晶体管基板的制造过程中,为节约成本,通常先制作一尺寸较大的母基板,再对制作好的母基板依制品尺寸切割,以形成多片薄膜晶体管基板。

请参阅图1,是一种现有技术薄膜晶体管母基板的平面结构示意图。该薄膜晶体管母基板1包括一绝缘基底11、多个薄膜晶体管阵列12和多条线路13。该多个薄膜晶体管阵列12和该多条线路13设置在该绝缘基底11的表面。该薄膜晶体管阵列12通过该线路13电连接。该多个薄膜晶体管阵列12定义多片薄膜晶体管基板10。该薄膜晶体管母基板1沿切割线A-A切裂后则得到该多片薄膜晶体管基板10。

请参阅图2,是图1所示薄膜晶体管母基板1沿II-II线的剖面放大示意图。该线路13包括一金属层131及一保护层132。该金属层131的构成物质一般是铝等优良导电物质,其临近该绝缘基底11设置。该保护层132是由绝缘材料构成,其覆盖该金属层131并使该金属层131与外部空气隔绝,以保护该金属层131不被腐蚀。

然而,在薄膜晶体管母基板1被切割为多片薄膜晶体管基板10过程中,该线路13被切断,使得该线路13的金属层131切断处裸露在空气中。由于构成该金属层131的材料一般是铝等优良导电材料,这些材料同时也容易受到空气中的水汽等的腐蚀,该腐蚀将沿着金属层131一直向该薄膜晶体管阵列12延伸,进而破坏该薄膜晶体管阵列12,降低该薄膜晶体管母基板1切割出的薄膜晶体管基板10的可靠性。

发明内容

为解决现有技术薄膜晶体管母基板切割出的薄膜晶体管基板可靠性较差的问题,有必要提供一种可切割出可靠性较好的薄膜晶体管基板的薄膜晶体管母基板。

同时,也有必要提供一种可靠性较好的薄膜晶体管基板。

一种薄膜晶体管母基板,其包括一绝缘基底、多个薄膜晶体管阵列和多个线路区。该薄膜晶体管阵列和该线路区设置于该绝缘基底的同一表面。每一线路区包括多条线路,该多个薄膜晶体管阵列通过线路区的多条线路电连接。每一线路包括至少两个金属部分,每一线路还进一步包括桥接保护部分。该至少两个金属部分通过该桥接保护部分电连接。该桥接保护部分的构成材料是一种抗腐蚀的导电材料。

一种薄膜晶体管基板,其包括一绝缘基底、一薄膜晶体管阵列、一第一金属部分和一第二金属部分。该薄膜晶体管阵列设置于该绝缘基底的同一表面。该第一金属部分电连接该薄膜晶体管阵列。该第二金属部分用于电连接一外部电路。该薄膜晶体管基板进一步包括一桥接保护部分,该第二金属部分与该第一金属部分通过该桥接保护部分电连接。该桥接保护部分的构成材料是一种抗腐蚀导电材料。

一种薄膜晶体管基板,其包括一绝缘基底、一薄膜晶体管阵列、一第一金属部分和一第二金属部分。该薄膜晶体管阵列设置于该绝缘基底的同一表面。该第一金属部分电连接该薄膜晶体管阵列。该第二金属部分用于电连接一外部电路。该薄膜晶体管基板进一步包括一桥接保护部分,该第二金属部分与该第一金属部分通过该桥接保护部分电连接。桥接保护部分可以防止金属部分的腐蚀通过该桥接保护部分。

与现有技术相比较,本发明的薄膜晶体管母基板包括具有桥接保护部分的线路,当薄膜晶体管母基板被切割成多片薄膜晶体管基板时,该桥接保护部分阻止该线路被切开处开始的腐蚀延伸到薄膜晶体管基板内部,因而提高了该薄膜晶体管母基板切割出的薄膜晶体管基板的可靠性。该薄膜晶体管基板也能提高其可靠性。

附图说明

图1是一种现有技术薄膜晶体管母基板的平面结构示意图。

图2是图1所示薄膜晶体管母基板沿II-II线的剖面放大示意图。

图3是本发明薄膜晶体管母基板第一实施方式的平面结构示意图。

图4是图3所示薄膜晶体管母基板沿IV-IV线的剖面放大示意图。

图5是本发明薄膜晶体管母基板第二实施方式的剖面放大示意图。

具体实施方式

请参阅图3,是本发明薄膜晶体管母基板第一实施方式的平面结构示意图。该薄膜晶体管母基板2包括一绝缘基底21、多个薄膜晶体管阵列22和多个线路区23。该薄膜晶体管阵列22和该线路区23设置在该绝缘基底21的一表面。该薄膜晶体管阵列22通过该线路区23电连接。

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