[发明专利]防止VDMOS管二次击穿的方法有效
| 申请号： | 200810067461.5 | 申请日： | 2008-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101504917A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/308;G03F7/42 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 518029广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 vdmos 二次 击穿 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止VDMOS管二次击穿的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在VDMOS管制造过程中，采用掩膜光刻胶在硅片表面进行干法刻蚀；
(2)在真空条件下通入气体，该气体在射频作用下形成对掩膜光刻胶具有轰击能力的等离子体，用该等离子体去除源区的掩膜光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)的气体包括氧气。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧气的流量为1～10L/min。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧气的流量为2.5L/min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)的真空度为0.5～10Torr。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)的真空度为2Torr。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)的射频的功率为500～1000W。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)的射频的功率为1000W。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
