[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、布线结构及其制造方法有效
申请号: | 200810065652.8 | 申请日: | 2008-01-25 |
公开(公告)号: | CN101494226A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 陈文桦 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
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地址: | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 布线 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法,以及一种布线结构及其制造方法。
背景技术
目前,液晶显示器逐渐取代传统阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示器,而且,由于液晶显示器具有轻、薄、体积小等特点,使其非常适合应用于桌上型计算机、笔记本电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、移动电话、电视和多种办公自动化与视听设备中。液晶面板是其主要元件,一般包括一薄膜晶体管基板、一彩色滤光片基板和一夹于该薄膜晶体管基板与该彩色滤光片基板之间的液晶层。
请参阅图1,其是一种现有技术的薄膜晶体管基板的平面示意图。该薄膜晶体管基板10包括一显示区11、一边框区12和一集成电路区13。该显示区11位于该薄膜晶体管基板10的中央位置。该边框区12位于该显示区11的外围。该集成电路区13位于该边框区12的下方。该边框区12设置有多条金属导线121,该集成电路区13设置至少一驱动芯片131,该金属导线121与该驱动芯片131的引脚(未标示)电连接。
请一并参阅图2,其是图1所示薄膜晶体管基板10区域A的放大示意图。该薄膜晶体管基板10还包括位于该显示区11的多条栅极线111和多条数据线112,并由该多条栅极线111和该多条数据线112构成的最小区域界定多个像素单元110。该边框区12的金属导线121分别与该显示区11的栅极线111电连接,该驱动芯片131输出的驱动信号通过该金属导线121传送至该栅极线111。
请一并参阅图3,其是图2所示薄膜晶体管基板10沿Ⅲ-Ⅲ方向的剖面放大示意图。该薄膜晶体管基板10进一步包括一绝缘基底101、一栅极113、一栅极绝缘层102、一半导体层103、一源极114、一漏极115和一像素电极116。该栅极113设置在该显示区11的绝缘基底101上,该金属导线121设置在该边框区12的绝缘基底101上。该栅极绝缘层102覆盖该栅极113、该金属导线121和该绝缘基底101。该半导体层103设置在该栅极113对应的栅极绝缘层102表面。该源极114和漏极115分别设置在该半导体层103表面及其边缘的栅极绝缘层102表面。该像素电极116设置在该像素单元110对应的栅极绝缘层101表面,并与该漏极115电连接。
然而,该薄膜晶体管基板10的金属导线121受到微影刻蚀工艺的分辨率和制造过程中环境污染微粒的尺寸限制,各金属导线121之间必须要有一定间隔以避免产生短路。该间隔一般与该金属导线121的宽度相当。因此,该金属导线121的布线结构需要较大的面积来实现,即在该薄膜晶体管基板10上必须预留足够的边框区12以排布该金属导线121,导致对于固定尺寸的薄膜晶体管基板10无法进一步加大该显示区11的尺寸。
发明内容
为了解决现有技术薄膜晶体管基板边框宽的问题,有必要提供一种窄边框的薄膜晶体管基板。
为了解决现有技术薄膜晶体管基板边框宽的问题,有必要提供一种窄边框的薄膜晶体管基板的制造方法。
为了解决现有技术布线结构占用面积大的问题,有必要提供一种金属导线的布线结构及其制造方法。
为了解决现有技术布线结构占用面积大的问题,有必要提供一种金属导线布线结构的制造方法。
一种薄膜晶体管基板,其包括一绝缘基底、多条第一金属导线、多条第二金属导线和多条驱动线。在该绝缘基底上界定一显示区和一边框区,该边框区位于该显示区的外围。该多条驱动线位于该显示区,该第一金属导线与该第二金属导线位于该边框区并与该驱动线相连接。该边框区进一步设置有多个绝缘墙,该多个绝缘墙等间距排布,该第一金属导线位于该绝缘墙的上表面上,该第二金属导线位于该绝缘墙之间的绝缘基底上。
一种薄膜晶体管基板的制造方法,其步骤包括:提供一绝缘基底,其包括一显示区和一边框区,该边框区位于该显示区的外围;在该绝缘基底上沉积一绝缘层;在该绝缘基底的边框区形成多个绝缘墙,该绝缘墙等间距排列;在该绝缘基底和该绝缘墙上沉积一第一金属层;在该绝缘基底的显示区形成一栅极和一栅极线,且在该边框区一起形成一第一金属导线和一第二金属导线,该第一金属导线位于该绝缘墙的上表面上,该第二金属导线位于该绝缘墙间隔的绝缘基底上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的