[发明专利]高质量、高收率的碳纳米管阵列制备方法及装置

权利要求书

1.一种高质量、高收率的碳纳米管阵列制备方法，采用气雾剂-CVD方法，其特征是以环己烷为碳源；方法步骤如下：

(1)首先分别对催化剂母体二茂铁与环己烷进行纯化；

(2)配制含有质量百分比2-6％浓度的催化剂母体的反应溶液，然后转移入喷雾瓶中；

(3)密封反应系统，借助真空泵，用氩气抽洗、置换其内的空气；

(4)加热石英反应管至750-900摄氏度，调节流量计至氩气流量为3-9立升每分钟，使反应溶液直接喷射入石英反应管，持续喷射4-15分钟，即可得到碳纳米管阵列粗产物。

2.如权利要求1所述的高质量、高收率的碳纳米管阵列制备方法，其特征是所述的碳纳米管阵列在放置于石英反应管内的石英片或单晶硅片上生成。

3.如权利要求1所述的高质量、高收率的碳纳米管阵列制备方法，其特征是所述的环己烷使用前需经过精馏或5A分子筛浸泡脱水处理。

4.如权利要求1所述的高质量、高收率的碳纳米管阵列制备方法，其特征是所述的催化剂母体二茂铁在使用前需经过升华或常规干燥处理。