[发明专利]三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1、三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管，其包括：衬底(1)，金属电极(2)，有机半导体(6)层，源/漏电极(7)；其特征在于还包括：低介电常数聚合物层(3)，高介电常数氧化物层(4)，低介电常数聚合物层(5)，所述的(3)、(4)和(5)层构成三层复合膜绝缘栅。

2、如权利要求1所述的三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述的三层复合膜绝缘栅的高介电常数氧化物为：Ta₂O₅、TiO₂、Al₂O₃、SiN_x或SiO₂；

所述的三层复合膜绝缘栅的低介电常数聚合物为：侧链含苯并环丁酮的二元共聚物或侧链含苯并环丁酮的三元共聚物；

所述的侧链含苯并环丁酮的二元共聚物的结构式为：

其中，R₁是氢或甲基；R是烷基、芳基、羟烷基、氰基(-CN)、酰胺基(-CONHR₂)、三甲氧基硅烷基(-Si(OCH₃)₃)、或者酯基(-COOR₂)；其中酰胺基(-CONHR₂)和酯基(-COOR₂)中的R₂是氢、烷基、芳基、羟烷基、氰化烷基、环氧烷基、醚、酯或醋酸酯；n和m数值分别在0.1到0.9之间；其分子量分别在5000到30000之间；

所述的侧链含苯并环丁酮的三元共聚物结构式为：

其中，R₁是氢或甲基；R是烷基、芳基、羟烷基、氰基(-CN)、酰胺基(-CONHR₂)、三甲氧基硅烷基(-Si(OCH₃)₃)、或者酯基(-COOR₂)；其中酰胺基(-CONHR₂)和酯基(-COOR₂)中的R₂是氢、烷基、芳基、羟烷基、氰化烷基、环氧烷基、醚、酯或醋酸酯；R₃是烷基或芳基；n和m数值分别在0.1到0.9之间；其分子量分别在5000到30000之间。

3、如权利要求2所述的三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述的三层复合膜绝缘栅的高介电常数氧化物层(4)厚度为：10-200纳米。

4、如权利要求2或3所述的三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述的低介电常数聚合物层(2)和(3)的厚度分别为：10-200纳米。