[发明专利]自对准形成齐纳二极管的方法

权利要求书

1.一种自对准形成齐纳二极管的方法，其特征是：所述方法包括如下 步骤：

第1步，在硅衬底上生长一层氧化硅；

第2步，采用离子注入工艺向硅衬底注入P型杂质，形成P阱；

第3步，在硅片表面淀积一层多晶硅，再刻蚀该层多晶硅形成多晶硅 残留；

第4步，采用离子注入工艺在多晶硅残留的一侧注入N型杂质，形成N 型重掺杂区；

第5步，采用离子注入工艺在多晶硅残留的另一侧注入P型杂质，形 成P型重掺杂区；

所述多晶硅残留的宽度小于或等于N型重掺杂区的结深和P型重掺杂 区的结深之和。

2.根据权利要求1所述的自对准形成齐纳二极管的方法，其特征是： 所述方法的第3步和第4步之间增加一步：在硅片表面淀积一层氮化硅， 反刻该层氮化硅，在多晶硅残留的两侧形成氮化硅侧墙；

所述方法的第4步中，在多晶硅残留的一侧的氮化硅侧墙的外侧注入N 型杂质；

所述方法的第5步中，在多晶硅残留的另一侧的氮化硅侧墙的外侧注 入P型杂质；

所述多晶硅残留和两侧的氮化硅侧墙的总宽度小于或等于N型重掺杂 区的结深和P型重掺杂区的结深之和。

3.根据权利要求1所述的自对准形成齐纳二极管的方法，其特征是： 在N型离子注入和P型离子注入剂量不变的前提下，多晶硅残留的宽度越 大，所形成的齐纳二极管的击穿电压就越大。

4.根据权利要求1所述的自对准形成齐纳二极管的方法，其特征是： 在多晶硅残留的宽度不变的前提下，N型离子注入和/或P型离子注入的剂 量越大，所形成的齐纳二极管的击穿电压就越小。

5.根据权利要求2所述的自对准形成齐纳二极管的方法，其特征是： 控制多晶硅残留的宽度，从而控制齐纳二极管的击穿电压。

6.根据权利要求1所述的自对准形成齐纳二极管的方法，其特征是： 控制N型和/或P型离子注入的剂量，从而控制齐纳二极管的击穿电压。