[发明专利]一种具有光子晶体结构的低成本大面积纳米压印模版制备技术无效
| 申请号： | 200810042412.6 | 申请日： | 2008-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101665234A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李小丽;王庆康;张静;刘彦伯;周伟民;万永中 | 申请（专利权）人： | 上海市纳米科技与产业发展促进中心 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 光子 晶体结构 低成本 大面积 纳米 压印 模版 制备 技术 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有光子晶体结构的大面积纳米压印模版制备技术，结构是二维交错排列的周期性纳米凸起光子晶体结构，凸起尺寸为几十到几百纳米，周期为1～2微米。
2.根据权利要求1所述的二维交错排列的周期性纳米凸起光子晶体结构，其制备技术包括先用电子束曝光和反应粒子刻蚀在石英表面形成具有二维交错排列的微米级圆孔型光子晶体阴模版结构，然后利用恰当的湿法刻蚀工艺，将阴模版转换为二维交错排列的周期性纳米凸起光子晶体结构等系列工艺。
3.根据权利要求2所述的制备技术的系列工艺中，湿法刻蚀工艺包括刻蚀溶液的配比为：40％NH4F∶49％HF＝5∶1，温度控制为20℃，刻蚀时间为5-8分钟，超声条件下进行。
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