[发明专利]一种具有内增益的紫外探测器及制备方法

权利要求书

1.一种具有内增益的紫外探测器，它由衬底(1)、缓冲层(2)、三层外延 材料层(3、4、5)、p型接触电极(6)、n型接触电极(8)、第一钝化层(7)、 第二钝化层(9)、加厚电极(10)和互联电极(11)构成，其特征在于：

a.衬底(1)采用的材料是双面抛光的蓝宝石、Si或SiC；

b.缓冲层(2)是在衬底(1)上通过外延生长的氮化铝或氮化镓薄膜， 厚度为0.5um至3um；

c.在缓冲层(2)上形成的外延材料n型Al_xGa_1-xN材料层(3)是 n-Al_xGa_1-xN:Si(0＜x＜1)，它的厚度为0.1um至0.3um，掺杂浓度为10¹⁶/cm³～ 10¹⁸/cm³；

d.在外延材料n型Al_xGa_1-xN材料层(3)上形成的外延材料i型GaN材料 层(4)是i-GaN，它的厚度为0.1um至0.6um，载流子浓度为10¹⁵/cm³；

e.在外延材料i型GaN材料层(4)上形成的外延材料p-GaN材料层(5) 是p-GaN:Mg，它的厚度为0.5um至1um，掺杂浓度为10¹⁸/cm³～10¹⁹/cm³；

f.在由三层外延材料层经ICP刻蚀台面成结后形成的台面上形成的第一 钝化层(7)和第二钝化层(9)是利用PECVD技术生长的SiO₂或Si₃N₄，第 一钝化层(7)的厚度为1500埃至2500埃，第二钝化层(9)的厚度为800埃 至1000埃；

g.与外延材料p-GaN材料层(5)连接的p型接触电极(6)是电子束蒸 发淀积的Ni/Au/Ni/Au；

h.与外延材料n型Al_xGa_1-xN材料层(3)连接的n型接触电极(8)为电 子束蒸发淀积的Ti/Al/Ti/Au；

i.与n型接触电极(8)连接的加厚电极(10)和与p型接触电极(6)连 接的互联电极(11)是淀积生长的双层金属Cr/Au。