[发明专利]残留物的去除方法有效
| 申请号： | 200810036585.7 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101567300A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 李强;丁士成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 残留物 去除 方法 | ||
1.一种残留物的去除方法，用于在晶圆上制作不同厚度的栅氧化层的工艺中，所述在晶圆上制作不同厚度的栅氧化层的工艺是指，在晶圆上制作输入输出器件和核心器件，所述工艺包括：
在输入输出器件和核心器件表面第一次形成一层厚度均匀的氧化层；
在氧化层上涂光刻胶，然后进行曝光、显影，去除核心器件位置处的光刻胶，仅输入输出器件表面的氧化层被光刻胶覆盖保护；
进行湿法蚀刻，采用酸性溶液蚀刻掉未被光刻胶保护的氧化层，即去掉核心器件对应的氧化层；
采用去离子水进行清洗步骤将残留在晶圆表面的溶液、颗粒去除，然后进行干燥步骤；
其特征在于，还包括，在所述干燥步骤之后采用酸性溶液清洗晶圆暴露在空气中形成的表面残留物；
之后进行清洗以及干燥步骤，并去除剩余的光刻胶，最后在输入输出器件和核心器件表面第二次形成一层厚度均匀的氧化层。
2.如权利要求1所述的残留物的去除方法，其特征在于，在所述干燥步骤之后采用的酸性溶液是具有缓冲作用的氧化物蚀刻液。
3.如权利要求1所述的残留物的去除方法，其特征在于，在所述干燥步骤之后采用的酸性溶液由氟化氨、氢氟酸以及表面活性剂混合而成。
4.如权利要求3所述的残留物的去除方法，其特征在于，氟化氨、氢氟酸以及表面活性剂的体积比为：130∶1∶7。
5.如权利要求1所述的残留物的去除方法，其特征在于，清洗时间为10秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
