[发明专利]基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法无效
申请号: | 200810030575.2 | 申请日: | 2008-01-30 |
公开(公告)号: | CN101224868A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 郑学军;陈义强;王甲世;姜传斌;龚伦军 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 4111*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 单个 极性 半导体 纳米 弹簧 制作方法 | ||
1.一种基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法,其特征在于:
1)以半导体粉末为原料,采用热蒸发方法制备半导体纳米带絮状物;
2)用挥发性溶液作为分散液,将半导体纳米带絮状物溶解在分散液中,并经超声振荡后,使半导体纳米带絮状物分散成单个极性半导体纳米带,悬浮在分散液中;
3)将置于空气中形成二氧化硅绝缘层的单晶硅片作为衬底;
4)将悬浮单个极性半导体纳米带的分散液滴在衬底上经自然挥发,得到随机分布的单个半导体纳米带;
5)采用纳米探针技术,选取平躺在衬底上其垂直方向具有最大的自发极化和压电效应的单个极性半导体纳米带,作为基于单个极性半导体纳米带的光弹簧。
2.根据权利要求1所述的基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法,其特征在于,半导体粉末为II-VI族元素半导体粉末。
3.根据权利要求2所述的基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法,其特征在于,II-VI族元素半导体粉末为氧化锌、硫化锌和二氧化锡粉末。
4.根据权利要求1所述的基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法,其特征在于,挥发性溶液选取丙酮或乙醇。
5.根据权利要求1所述的基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法,其特征在于,单个极性半导体纳米带,是具有自发极化和可逆光致伸缩效应的纳米结构,它们可以是量子点、纳米带、纳米线、纳米棒、纳米管、纳米环或纳米薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学,未经湘潭大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810030575.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:百洁擦
- 下一篇:矿用隔爆型移动变电站用胶轮车