[发明专利]一种有机聚合物电子存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机聚合物电子存储器的制备方法，包括以下具体步骤：

(1)将纳米铟锡金属氧化物玻璃片超声清洗，吹干；

(2)将偶氮聚合物配成浓度为5～20mg/ml的溶液，用旋转涂膜的方法将偶氮聚合物涂于纳米铟锡金属氧化物玻璃表面，置真空烘箱中干燥10～20小时，得到均匀的偶氮聚合物薄膜，聚合物薄膜的厚度为50～100nm；

(3)用真空蒸镀仪蒸上高纯度的铝，作为上电极；

所述偶氮聚合物平均分子量在2500～15000，用以下通式表达：

其中R选自硝基、溴或甲氧基中的一种。

2.根据权利要求1所述有机聚合物电子存储器的制备方法，其特征在于：步骤(2)中旋转涂膜的转速为1500～2500转/分钟，时间为10～60秒。

3.根据权利要求1所述有机聚合物电子存储器的制备方法，其特征在于：步骤(2)中真空烘箱干燥时真空度为1×10^-5torr，温度为60℃。

4.根据权利要求1所述有机聚合物电子存储器的制备方法，其特征在于：步骤(3)中真空蒸镀仪设定的真空度小于1×10^-7torr。