[发明专利]基于三分之二匝纵向磁场触头的高电压单断口真空灭弧室

说明书

技术领域

本发明涉及一种高压真空断路器，特别涉及一种基于三分之二匝纵向磁场触头的额定电压为126kV的单断口高压真空灭弧室。

背景技术

目前在高压和超高压领域内SF₆断路器占绝对优势地位。SF₆气体具有优异的热化学性和电负性，因而绝缘性能和灭弧性能特别好，但是SF₆气体经过电弧的高温分解作用后可产生有剧毒的分解物，并且是主要的温室效应气体之一。SF₆气体是《京都议定书》制定的六种温室效应气体中最强的一种，其地球温暖化系数是CO₂的23900倍，其大气中寿命长达3200年。真空断路器具有环境友好，产品可靠性高，维护工作量小，无火灾爆炸危险，产品技术性能高等优点，目前在中压等级是主流产品。发展高压真空断路器是减少SF₆排放的一种很好的选择。

发明内容

本发明的目的在于，提出一种基于三分之二匝纵向磁场触头的单断口高压真空灭弧室，该高压真空灭弧室可配用于126kV单断口真空断路器中。

为了实现上述任务。本发明采取如下的技术解决方案：

一种基于三分之二匝纵向磁场触头的高电压单断口真空灭弧室，配用于126kV单断口真空断路器中，包括相互连接的第一外壳和第二外壳，第一外壳和第二外壳分别有第一端盖和第二端盖，第一端盖和第二端盖上分别设有第一端部屏蔽罩和第二端部屏蔽罩；在第一外壳和第二外壳之间设有主屏蔽罩。

在第一端盖上连接有静导电杆，在第二端盖上连接有动导电杆；在静导电杆上连接静触头，在动导电杆上连接有动触头。

静导电杆与第一端盖之间通过第一波纹管连接，动导电杆与第二端盖之间通过第二波纹管连接，在静触头背面分别设有第一均压环，在动触头的背面设有第二均压环；其特征在于，所述的静触头和动触头分别采用三分之二匝式纵向磁场触头，该三分之二匝式纵向磁场触头的结构包括一个在触头中间的圆柱形导体，该圆柱形导体与三个形状相同的支臂相连，每个支臂与一个弧导体相连，弧形导体对应的角度为120°，每个弧形导体与另一个面上的与弧形导体形状相同的第二弧形导体相连接，第二弧形导体还连接有触头片；每个支臂与弧形导体之间留有缝隙。

经验证实验，本发明与现有二分之一匝纵向磁场触头结构真空灭弧室技术相比(中国专利申请，200420086389.8)，可提高真空灭弧室的开断能力和额定电流水平，采取的措施包括采用三分之二匝纵向磁场触头结构增强电流峰值时的纵向磁场，减少回路电阻和减小纵向磁场滞后时间。与现有的单匝式纵向磁场触头真空灭弧室相比(中国专利申请，200420086276.8)，本发明在纵向磁场强度与之相当的情况下，大幅度地减小了回路电阻，从而可提高额定电流水平。

附图说明

图1为126kV超高压真空灭弧室图；图中各符号为：1、第一真空灭弧室外壳，2、第二真空灭弧室外壳，3、动端盖，4、静端盖，5、动端端部屏蔽罩，6、静端端部屏蔽罩，7、主屏蔽罩，8、静导电杆，9、动导电杆，10、静触头，11、动触头，12、动端波纹管，13、静端波纹管，14、动端均压环，15、静端均压环。

图2为三分之二匝纵向磁场触头图；图中符号为：21、圆柱形导体，22、支臂，23、上弧形导体，24、下弧形导体，25、触头片，26、27、28、29、缝隙。

图3为126kV单断口真空灭弧室电场分布图。

图4采用三分之二匝式纵向磁场触头时的纵向磁场分布图，电流有效值为40kA，电流峰值时，其中(a)为触头片开距中心平面，(b)为触头表面。

以下结合附图和发明人给出的实施例对本发明作进一步的详细描述。

具体实施方式