[发明专利]基于三分之二匝纵向磁场触头的高电压单断口真空灭弧室

权利要求书

1.一种基于三分之二匝纵向磁场触头的高电压单断口真空灭弧室，配用于126kV单断口真空断路器中，包括依次连接的第一外壳(1)和第二外壳(2)，第一外壳(1)和第二外壳(2)分别有第一端盖(3)和第二端盖(4)，在第一端盖(3)和第二端盖(4)上分别设有第一端部屏蔽罩(5)和第二端部屏蔽罩(6)；在第一外壳(1)和第二外壳(2)之间设有主屏蔽罩(7)；

在第一端盖(3)上连接有静导电杆(8)，在第二端盖(4)上连接有动导电杆(9)；在静导电杆(8)上连接有静触头(10)，在动导电杆(9)上连接动触头(11)；

静导电杆(8)与第一端盖(3)之间通过第一波纹管(12)连接，动导电杆(9)和第二端盖(4)之间通过第二波纹管(13)连接；在静触头(10)的背面设有第一均压环(14)，在动触头(11)的背面设有第二均压环(15)，其特征在于，所述的静触头(10)和动触头(11)分别采用三分之二匝式纵向磁场触头，该三分之二匝式纵向磁场触头的结构包括一个在触头中间的圆柱形导体(21)，该圆柱形导体(21)与三个形状相同的支臂(22)相连，每个支臂(22)与一个弧导体(23)相连，弧形导体(23)对应的角度为120°，每个弧形导体(23)与另一个面上的与弧形导体(23)形状相同的第二弧形导体(24)相连接，第二弧形导体(24)还连接有触头片(25)；每个支臂(22)与弧形导体(23)之间留有缝隙。

2.如权利要求1所述的基于三分之二匝纵向磁场触头的高电压单断口真空灭弧室，其特征在于，所述的第一外壳(1)和第二外壳(2)的材料为陶瓷或者玻璃。

3.如权利要求1所述的基于三分之二匝纵向磁场触头的高电压单断口真空灭弧室，其特征在于，所述的第一外壳(1)和第二外壳(2)的直径为290mm至320mm。

4.如权利要求1所述的基于三分之二匝纵向磁场触头的高电压单断口真空灭弧室，其特征在于，所述的第一端盖(3)和第二端盖(4)之间的距离为600mm至900mm。

5.如权利要求1所述的基于三分之二匝纵向磁场触头的高电压单断口真空灭弧室，其特征在于，所述的静触头(10)与动触头(11)之间的距离为40mm至80mm。

6.如权利要求1所述的基于三分之二匝纵向磁场触头的高电压单断口真空灭弧室，其特征在于，所述的三分之二匝式纵向磁场触头的直径为80mm至120mm.