[发明专利]用于具有升压多初级变压器的功率放大器的系统和方法有效

专利信息
申请号: 200810001009.9 申请日: 2008-01-10
公开(公告)号: CN101242159A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 李彰浩;安奎焕;梁起硕;张在浚;禹王命;金胤锡;金学善;李鋈九;李东镐;金炯旭;乔伊·拉斯卡尔 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H03F1/56 分类号: H03F1/56;H03F3/213;H01F27/40;H01F29/02
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;尚志峰
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 具有 升压 初级 变压器 功率放大器 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种功率放大器系统,包括:

多个功率放大器,其中,每个所述功率放大器都包括至少一个输出端;

多个初级线圈,每个所述初级线圈均具有第一匝数,其中,每个所述初级线圈都连接至所述多个功率放大器的至少一个输出端;以及

单个次级线圈,电感耦合至所述多个初级线圈,其中,所述次级线圈包括大于所述第一匝数的第二匝数。

2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多个初级线圈中的每一个均包括中心抽头端,并且还包括:

至少一个调谐块,连接至所述多个初级线圈的中心抽头端。

3.根据权利要求2所述的系统,其中,所述中心抽头端包括AC虚拟地。

4.根据权利要求2所述的系统,其中,所述至少一个调谐块包括一个或多个谐振电路。

5.根据权利要求4所述的系统,其中,所述一个或多个谐振电路包括串联或并联连接的一个或多个电容元件以及一个或多个电感元件。

6.根据权利要求4所述的系统,其中,所述至少一个调谐块利用所述谐振电路选择性地增强或抑制一个或多个频率分量。

7.根据权利要求1所述的系统,其中,相对于所述单个次级线圈布置所述初级线圈,以使由所述初级线圈感应的通量或电流在所述次级线圈中同相地相加。

8.根据权利要求1所述的系统,其中,在具有相同电流方向的初级线圈之间插入所述单个次级线圈,以及其中,使用(i)平面结构、(ii)堆叠结构、或(iii)多层结构制造所述多个初级线圈和所述单个次级线圈。

9.根据权利要求8所述的系统,其中,使用具有金属层的平面结构制造所述多个初级线圈和所述单个次级线圈,其中,在所述金属层上制造所述多个初级线圈作为平行的初级线圈,以及其中,所述次级线圈被制造在所述金属层上并位于所述多个初级线圈的相邻初级线圈之间。

10.根据权利要求8所述的系统,其中,使用具有第一金属层和与所述第一金属层相对的第二金属层的堆叠结构来制造所述多个初级线圈和所述单个次级线圈,其中,在所述第一金属层上制造所述多个初级线圈,以及在所述第二金属层上制造所述单个次级线圈。

11.根据权利要求8所述的系统,其中,使用具有第一金属层、第二金属层、第三金属层、和第四金属层的堆叠结构来制造所述多个初级线圈和所述单个次级线圈,其中,所述第三金属层夹置在所述第一金属层和所述第二金属层之间,以及其中,所述第二金属层夹置在所述第三金属层和所述第四金属层之间,以及其中,在所述第一金属层上制造所述多个初级线圈的第一初级线圈,在所述第二金属层上制造所述多个初级线圈的第二初级线圈,以及在所述第三金属层和所述第四金属层上制造所述单个次级线圈,以及其中,通过至少一个过孔连接所述第三金属层和所述第四金属层。

12.根据权利要求8所述的系统,其中,使用具有第一金属层、第二金属层、第三金属层、和第四金属层的多层结构制造所述多个初级线圈和所述单个次级线圈,其中,所述第三金属层夹置在所述第一金属层和所述第二金属层之间,以及其中,所述第二金属层夹置在所述第三金属层和所述第四金属层之间,其中,在所述第一金属层的第一部分和所述第二金属层的第一部分上制造所述多个初级线圈的第一初级线圈,其中,通过至少一个第一过孔连接所述第一金属层的所述第一部分和所述第二金属层的所述第一部分,其中,在所述第一金属层的第二部分和所述第二金属层的第二部分上制造所述多个初级线圈的第二初级线圈,其中,通过至少一个第二过孔连接所述第一金属层的所述第二部分和所述第二金属层的所述第二部分,以及其中,在所述第三金属层和所述第四金属层上制造所述单个次级线圈,其中,通过至少一个第三过孔连接所述第三金属层和所述第四金属层。

13.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多个初级线圈和所述单个次级线圈形成变压器,并且还包括辅助线圈,与所述变压器的一侧或多侧相邻,以感测所述多个初级线圈和所述单个次级线圈之间的耦合量。

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