[发明专利]光或放射线检测器及其制造方法

权利要求书

1.一种光或放射线检测器，检测光或放射线，该光或放射线检测器具备：

变换层，其利用光或放射线的入射，将上述光或放射线的信息变换成电荷信息；

电压施加电极，其向该变换层施加偏置电压；

模压结构，其用于保护该变换层和电压施加电极；和

读出基板，其读出上述电荷信息，

该光或放射线检测器还具备：

由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件，其层积形成在上述模压结构的上述光或放射线的入射面侧；和

由面状的导电性部件构成的第二部件，其层积形成在该第一部件的上述光或放射线的入射面侧，

该光或放射线检测器将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻，并且使上述第一部件的电阻大于上述第二部件的电阻。

2.如权利要求1所述的光或放射线检测器，其特征在于，

上述模压结构的电阻在1MΩ以上且100MΩ以下的范围内，上述第一部件的电阻在0.5KΩ以上且10MΩ以下的范围内，上述第二部件的电阻在0.1KΩ以上且1MΩ以下的范围内。

3.如权利要求1或2所述的光或放射线检测器，其特征在于，

将上述第二部件接地。

4.如权利要求1或2所述的光或放射线检测器，其特征在于，

上述变换层是将上述放射线的信息直接变换成电荷信息的放射线感应型，上述检测器是具备该放射线感应型半导体层的直接变换型的放射线检测器。

5.一种光或放射线检测器的制造方法，该制造方法是制造光或放射线检测器的方法，该光或放射线检测器检测光或放射线，

上述检测器具备： 

变换层，其利用光或放射线的入射，将上述光或放射线的信息变换成电荷信息；

电压施加电极，其向该变换层施加偏置电压；

模压结构，其用于保护该变换层和电压施加电极；和

读出基板，其读出上述电荷信息，

上述制造方法包括：

在上述模压结构的上述光或放射线的入射面侧层积形成由面状的导电性缓冲材料构成的第一部件的工序；和

在该第一部件的上述光或放射线的入射面侧层积形成由面状的导电性部件构成的第二部件的工序，

在上述制造方法中将模压结构、第一部件以及第二部件分别构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻，并且使上述第一部件的电阻大于上述第二部件的电阻。

6.如权利要求5所述的光或放射线检测器的制造方法，其特征在于，

将涂敷对象的涂敷物微粒化后喷雾涂敷到上述模压结构的上述光或放射线的入射面，由此将模压结构构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻。

7.如权利要求6所述的光或放射线检测器的制造方法，其特征在于，

反复进行将上述涂敷物微粒化后喷雾涂敷的工序，由此将模压结构构成为使上述模压结构的电阻大于上述第一部件的电阻。