[发明专利]具有低导通电阻的MOS器件的几何图形

权利要求书

1.一种在衬底上形成的金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：

漏极区；

栅极区，所述栅极区围绕所述漏极区，并且被形成为环绕在所述漏极 区周围；

多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且与所述漏 极区相对；以及

多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且分隔所述源极 区，

其中所述多个源极区被布置在所述栅极区的每一侧上，布置方式使得 所述漏极区的每一侧与具有相等或更大宽度的源极区对准。

2.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述栅极区被形成为闭环 形式。

3.根据权利要求2所述的MOS器件，其中所述栅极区具有与所述漏 极区的形状相对应的形状。

4.根据权利要求3所述的MOS器件，其中所述漏极区具有多边的多 边形形状，所述多边的多边形形状包括方形、矩形、六边形和八边形之 一。

5.根据权利要求4所述的MOS器件，其中所述衬底具有与所述漏极 区的形状相对应的形状，并且所述体区被布置在所述衬底的角落。

6.根据权利要求3所述的MOS器件，其中所述漏极区具有圆形形 状。

7.根据权利要求1所述的MOS器件，其中沟道区被形成在所述栅极 区之下。

8.根据权利要求7所述的MOS器件，其中所述沟道区被配置为使得 电流从每个源极区流向所述漏极区。

9.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述MOS器件是晶体管。

10.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述衬底是硅衬底，并且 所述栅极区包括多晶硅。

11.根据权利要求10所述的MOS器件，其中所述MOS器件是方形 DMOS(SQDMOS)。

12.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述漏极区和至少一个所 述源极区具有各自的触点，并且所述漏极区的触点和所述栅极区之间的距 离大于所述源极区的触点和所述栅极区之间的距离。

13.一种金属氧化物半导体(MOS)器件，所述MOS器件具有在衬底 上以阵列形式形成的多个MOS晶体管单元，每个MOS晶体管单元包括：

漏极区；

栅极区，所述栅极区围绕所述漏极区，并且被形成为环的形式；以及

多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且与所述漏 极区相对；以及

多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且分隔所述源极 区；

其中所述源极区与相邻MOS晶体管单元的相应源极区重叠，

其中所述多个源极区被布置在所述栅极区的每一侧上，布置方式使得 所述漏极区的每一侧与具有相等或更大宽度的源极区对准。

14.一种用于在衬底上形成金属氧化物半导体(MOS)器件的方法， 包括：

形成漏极区；

形成栅极区，所述栅极区以环的形式围绕所述漏极区；

形成多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且与所 述漏极区相对；以及

形成多个体区，所述多个体区布置在所述栅极区周围并且分隔所述源 极区，

其中所述多个源极区被布置在所述栅极区的每一侧上，布置方式使得 所述漏极区的每一侧与具有相等或更大宽度的源极区对准。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述栅极区以闭环形式形成。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述栅极区具有与所述漏极区 的形状相对应的形状。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述漏极区具有多边的多边形 形状，所述多边的多边形形状包括方形、矩形、六边形和八边形之一。