[发明专利]成膜装置和成膜方法

说明书

技术领域

本发明涉及利用感应加热在基板上进行成膜的成膜装置和成膜方法。

背景技术

外延生长法在基板结晶上能够使具有与基板结晶的结晶方位相同的结晶方位的单结晶成长，被应用于各种各样的场合。

例如，如下所述的专利文献1、专利文献2公开了利用外延生长法生长Si、从而制造硅晶片的方法。

在上述的外延生长法中，因为将原料气体进行热分解，所以被生长规定的膜的基板优选在比原料气体的分解温度更高的温度下被均匀地加热。因此，在基板的加热方面，例如，存在利用线圈的感应加热的情况。

专利文献1：日本特开平9-232275号公报

专利文献2：日本特开2004-323900号公报

发明内容

但是，在原料气体中存在热分解温度高的气体，在使用这样的原料气体的情况下，在构成成膜装置时发生过问题。例如，一般的成膜装置构成为，作为成膜的对象的基板被保持在内部被保持减压的处理容器内。

此处，当加热基板至具有高分解温度的成膜气体被分解的温度时，伴随与此，处理容器的壁也被加热，存在处理容器发生损坏的情况。此外，根据处理容器的材料的不同，存在因加热而释放出污染物质的情况，该污染物质成为在基板上形成的膜的污染源。

此外，在利用设置在处理容器的外侧的线圈的感应加热的情况下，处理容器为了防止被加热，优选由具有小的介质损耗(介电常数)的材料构成。

为了解决以上问题，有必要使用如下所述的处理容器构成成膜装置，即，即使被高温加热也不释放会成为成膜的污染源的物质，此外，感应加热的介质损耗不会成为问题，进一步，不因加热而损坏的处理容器，但是要全部满足这些要求很困难。

因此，在本发明中，其总课题是提供解决了上述问题的、新的有用的成膜装置和成膜方法。

本发明的具体的课题是，提供一种能够利用感应加热稳定地分解具有高分解温度的成膜气体，并进行成膜的成膜装置和成膜方法。

根据本发明的第一方式，提供一种成膜装置，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；向该处理容器内供给成膜气体的气体供给机构；由以碳为主要成分的材料构成，在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧，对基板保持部进行感应加热的线圈；和以覆盖基板保持部，且从处理容器分离的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为被供给成膜气体的成膜气体供给空间、和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，冷却介质被供给到绝热空间。

根据本发明的第二方式，提供一种成膜装置，其是第一方式的成膜装置，并且绝热部件由以碳作为主要成分的多孔状的材料构成，并且该绝热部件的热传导率和基板保持部的热传导率不同。

根据本发明的第三方式，提供一种成膜装置，其是第二方式的成膜装置，并且在绝热部件的表面上形成有碳类的涂敷膜。

根据本发明的第四方式，提供一种成膜装置，其是第一～第三方式的任一方式的成膜装置，并且处理容器由石英构成。

根据本发明的第五方式，提供一种成膜装置，其是第一～第四方式的任一方式的成膜装置，并且基板保持部具有能够保持多个基板的被加热载置台和在该被加热载置台的周围形成的被加热构造体，该被加热构造体具有相互相对的两个开口部，从两个开口部中的一个开口部供给上述成膜气体，从另一个开口部排出该成膜气体。

根据本发明的第六方式，提供一种成膜装置，其是第五方式的成膜装置，并且被加热载置台构成为，能够保持载置有多个基板的搬送板，并使该搬送板以规定的旋转轴为中心进行旋转。

根据本发明的第七方式，提供一种成膜装置，其是第六方式的成膜装置，并且处理容器与在内部具有搬送部的搬送室连接，通过该搬送部，上述搬送板被搬入到上述被加热载置台上或从上述被加热载置台上被搬出。

根据本发明的第八方式，提供一种成膜装置，其是第一～第七方式的任一方式的成膜装置，并且进一步具有覆盖绝热部件的绝热部件保持构造体。

根据本发明的第九方式，提供一种成膜装置，其是第一～第八方式的任一方式的成膜装置，并且在基板上形成与成膜气体对应的膜。

根据本发明的第十方式，提供一种成膜方法，该成膜方法利用第一～第八方式中任一方式所述的成膜装置，在基板上形成规定的膜。该成膜方法具有：在搬送板上载置多个基板的工序；将载置有多个基板的搬送板搬送到基板保持部的被加热载置台上的工序；使被加热载置台以规定的速度旋转的工序；向成膜气体供给空间供给成膜气体的工序；通过线圈对基板保持部进行加热的工序；和从处理容器搬出载置有多个基板的搬送板的工序。