[发明专利]具有由双极材料制成的阻挡层的有机发光二极管

权利要求书

1.一种有机发光二极管，包括：

下电极(2)和上电极(8)，所述电极之一(2)用作阳极，另一个(8)用作阴极；

至少一个电致发光有机层(5)，插设在这两个电极之间；

至少一个双极有机层(6)，其与所述至少一个电致发光层(5)的至少一个面接触，并插设在所述电致发光层(5)与所述电极之一(8)之间；

以及有机电荷输运层(7)，其插设在所述电极(8)与所述至少一个双极有机层(6)之间，其中所述至少一个双极有机层(6)的基材的单体分子既具有电子受主型的基团也具有电子施主型的基团，

其特征在于：

如果所述至少一个双极有机层(6)插设在与其接触的所述电致发光层(5)与用作所述阴极的电极(8)之间，那么所述双极有机层(6)的基材的空穴迁移率比电子迁移率低；

和/或如果所述至少一个双极有机层插设在与其接触的所述电致发光层与用作所述阳极的电极之间，那么所述双极有机层的基材的电子迁移率比空穴迁移率低。

2.如权利要求1所述的二极管，其特征在于所述有机电荷输运层(7)的基材不具有双极特性。

3.如权利要求1所述的二极管，其特征在于所述电致发光有机层的基材不具有双极特性。

4.如权利要求1所述的二极管，其特征在于：

如果所述双极有机层(6)插设在与其接触的所述电致发光层(5)与用作所述阴极的电极(8)之间，并且如果E_EL-V表示所述电致发光有机层(5)的基材的电离电势或HOMO能级，且E_BP-V表示所述双极有机层(6)的基材的电离电势或HOMO能级，这些电势相对于真空中无限远处电子的能量确定为正的，那么满足关系|E_BP-V-E_EL-V|≤0.3eV；

和/或如果所述双极有机层插设在与其接触的所述电致发光层与用作所述阳极的电极之间，并且如果E_EL-C表示所述电致发光有机层的基材的电子亲和能或LUMO能级，且E_BP-C表示所述双极有机层的基材的电子亲和能或LUMO能级，这些电势相对于真空中无限远处电子的能量确定为正的，那么满足关系|E_EL-C-E_BP-C|≤0.3eV。

5.如权利要求1所述的二极管，其特征在于所述至少一个双极有机层的厚度大于或等于5nm且小于或等于15nm。

6.如权利要求4所述的二极管，其特征在于所述至少一个双极有机层的厚度大于或等于5nm且小于或等于15nm。

7.如权利要求1-6中的任一项所述的二极管，其特征在于：

如果与所述有机电荷输运层(7)接触的电极(8)用作阴极，并且如果E_EL-V表示所述电致发光有机层(5)的基材的电离电势或HOMO能级，且E_TL-V表示所述有机电荷输运层(7)的基材的电离电势或HOMO能级，这些电势相对于真空中无限远处电子的能量确定为正的，那么满足关系E_TL-V＞E_EL-V；

和/或如果与所述有机电荷输运层接触的电极用作阳极，并且如果E_EL-C表示所述电致发光有机层的基材的电子亲和能或LUMO能级，且E_TL-C表示所述有机电荷输运层的基材的电子亲和能或LUMO能级，这些电势相对于真空中无限远处电子的能量确定为正的，那么满足关系E_TL-C＜E_EL-C。

8.如权利要求1-6中的任一项所述的二极管，其特征在于所述有机电荷输运层(7)的基材是n掺杂或p掺杂的，并且所述双极有机层(6)的基材既不是n掺杂也不是p掺杂的。

9.如权利要求1-6中任一项所述的二极管，其特征在于所述至少一个双极有机层的基材的单体分子用C＝C双键饱和。

10.如权利要求1-6中任一项所述的二极管，其特征在于所述双极有机层的基材选自由TAND和TAZ-TPA形成的组。

11.一种图像显示面板，包括如权利要求1-6中的任一项所述的二极管的阵列。

12.一种图像显示面板，包括如权利要求7所述的二极管的阵列。