[发明专利]半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，具有：

配置在基板表面的源极电极和漏极电极；

隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙；

配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层；

配置在所述有机半导体层上的绝缘膜；

配置在所述绝缘膜上的栅极电极；以及

规定所述有机半导体层的隔堤，

其中，该半导体设备包括有机半导体元件A和有机半导体元件B，所述有机半导体元件A中，所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度，并且在所述隔堤上形成有沟槽，所述有机半导体元件B具有源极电极或漏极电极，所述源极电极或漏极电极通过配置在所述有机半导体元件A的隔堤上的沟槽的电极材料与所述有机半导体元件A的栅极电极连接。

2.如权利要求1所述的半导体设备，其中，

所述有机半导体元件A的栅极电极与所述有机半导体元件B的源极电极或漏极电极位于同一个平面上。

3.如权利要求1所述的半导体设备，其中，

所述有机半导体元件B具有：

配置在所述基板表面的栅极电极；

配置在所述栅极电极上的绝缘膜；

配置在所述绝缘膜上的源极电极和漏极电极；

配置在所述源极电极和漏极电极上的有机半导体层；以及

规定所述有机半导体层的隔堤，

在所述有机半导体元件B的隔堤上，形成有与所述有机半导体元件A的隔堤的沟槽连通的沟槽，通过配置在该连通的沟槽的电极材料，使所述有机半导体元件A的栅极电极与所述有机半导体元件B的源极电极或漏极电极连接。

4.如权利要求1所述的半导体设备，其中，

所述沟槽的宽度是3～200μm。

5.一种有机EL设备，包括：

权利要求1所述的半导体设备以及有机发光元件，

该有机发光元件具有与所述有机半导体元件A的漏极电极相连接的像素电极。

6.一种半导体设备，具有：

配置在基板表面的源极电极和漏极电极；

隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙；

配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层；

配置在所述有机半导体层上的绝缘膜；

配置在所述绝缘膜上的栅极电极；以及

规定所述有机半导体层的隔堤，

其中，该半导体设备包括有机半导体元件A和有机半导体元件B，所述有机半导体元件A中，所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度，并且在所述隔堤上形成有开口部，所述有机半导体元件B具有栅极电极，所述栅极电极通过配置在所述有机半导体元件A的隔堤上的开口部的电极材料，与所述有机半导体元件A的源极电极或漏极电极连接。

7.如权利要求6所述的半导体设备，其中，

所述有机半导体元件A的源极电极或漏极电极与所述有机半导体元件B的栅极电极位于同一个平面上。

8.如权利要求6所述的半导体设备，其中，

所述半导体元件B，具有：

配置在所述基板表面的栅极电极；

配置在所述栅极电极上的绝缘膜；

配置在所述绝缘膜上的源极电极和漏极电极；

配置在所述源极电极和漏极电极上的有机半导体层；以及

规定所述有机半导体层的隔堤，

在所述有机半导体元件B的隔堤上形成有与所述有机半导体元件A的隔堤的开口部连通的开口部，通过配置在该连通的开口部的电极材料，使所述有机半导体元件A的源极电极或漏极电极与所述有机半导体元件B的栅极电极连接。

9.如权利要求6所述的半导体设备，其中，

所述开口部的宽度是3～200μm，高度是20～200nm。

10.一种有机EL设备，包括：

权利要求6所述的半导体设备以及有机发光元件，

该有机发光元件具有与所述有机半导体元件B的漏极电极相连接的像素电极。