[发明专利]固态图像传感装置的半导体基板以及固态图像传感装置和其制造方法

权利要求书

1.一种固态图像传感装置的半导体基板，其特征在于硅基板包含浓度为1×10¹⁶-1×10¹⁷原子/cm³的固溶碳和浓度为1.4×10¹⁸-1.6×10¹⁸原子/cm³的固溶氧。

2.根据权利要求1的固态图像传感装置的半导体基板，其中硅的外延层位于硅基板上。

3.根据权利要求2的固态图像传感装置的半导体基板，其中氧化物薄膜存在于外延层上。

4.根据权利要求3的固态图像传感装置的半导体基板，其中氮化硅薄膜存在于氧化硅薄膜上。

5.制造固态图像传感装置的半导体基板的方法，其特征在于在制造单晶硅基板中，先前包括硅晶体，其中碳的固溶浓度为1×10¹⁶-1×10¹⁷原子/cm³，氧的固溶浓度为1.4×10¹⁸-1.6×10¹⁸原子/cm³。

6.根据权利要求5的制造固态图像传感装置的半导体基板的方法，其中通过使用CZ(Czochralski)方法或MCZ(施加磁场的Czochralski晶体生长)方法来制造单晶硅基板。

7.一种固态图像传感装置，其包括硅基板和在其上形成的埋入型光电二极管，其特征在于尺寸不小于10nm的碳氧化物型沉淀物以1×10⁶-1×10⁸沉淀物/cm²的密度存在于硅基板中。

8.一种制造固态图像传感装置的方法，其特征在于形成装置所需的层在硅基板上形成，所述硅基板包含在硅单晶中的1×10¹⁶-1×10¹⁷原子/cm³的固溶碳和1.4×10¹⁸-1.6×10¹⁸原子/cm³的固溶氧，然后对所述层进行热处理，而促进氧沉淀反应，由此在硅基板中形成通过碳-氧型沉淀物的吸气槽。

9.根据权利要求7的制造固态图像传感装置的方法，其中所述热处理是在所述装置的制造过程中的热处理。

10.根据权利要求7或8的制造固态图像传感装置的方法，其中在热处理步骤时以1×10⁶-1×10⁸沉淀物/cm²的密度来沉淀尺寸不小于10nm的碳-氧型沉淀物。