[发明专利]气体导入装置及其制造方法以及处理装置无效
| 申请号: | 200780000687.7 | 申请日: | 2007-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN101331596A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
| 发明(设计)人: | 花田良幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/205;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 气体 导入 装置 及其 制造 方法 以及 处理 | ||
1.一种气体导入装置,其特征在于:
该气体导入装置被设置在可排气的处理容器内,用于向处理容器内导入气体,其中,
所述气体导入装置具有与所述处理容器内相对设置的气体导入头体,
在所述气体导入头体上设置有用于供给气体流动的供给气体流路,
在所述气体导入头体上设置有排气流路,
在所述气体导入头体上设置有用于控制气体流动的控制气体流路,
在所述气体导入头体的与所述处理容器相对的面上设置有多个气体喷射孔,
与所述各气体喷射孔相对应地设置有与所述供给气体流路、所述排气流路和所述控制气体流路连通的纯流体逻辑元件。
2.如权利要求1所述的气体导入装置,其特征在于:
所述纯流体逻辑元件包括:
主连通路,其连通所述供给气体流路和所述气体喷射孔并且在中途具有以规定角度弯曲的弯曲部;
分支连通路,其从所述弯曲部以规定角度分支,并且与所述排气流路连通;和
控制连通路,其被设置为连通所述控制气体流路和所述弯曲部之间。
3.如权利要求2所述的气体导入装置,其特征在于:
所述控制气体流路由供打开用气体流动的打开用控制气体流路和供关闭用气体流动的关闭用控制气体流路构成,
来自打开用控制气体流路的控制连通路和来自关闭用控制气体流路的控制连通路互相相对连接在所述纯流体逻辑元件的弯曲部上,构成双稳定型纯流体逻辑元件。
4.如权利要求2所述的气体导入装置,其特征在于:
所述控制气体流路由单一流路构成,
在所述纯流体逻辑元件的弯曲部上连接有来自控制气体流路的控制连通路,构成单稳定型纯流体逻辑元件。
5.如权利要求1所述的气体导入装置,其特征在于:
所述供给气体流路、所述排气流路和所述控制气体流路的数目分别被设置为与供给的气体种类对应的数目。
6.如权利要求1所述的气体导入装置,其特征在于:
所述气体导入头体被设置在所述处理容器的顶部,从平面观察,所述供给气体流路、所述排气流路和所述控制气体流路分别并列地配置。
7.如权利要求1所述的气体导入装置,其特征在于:
所述气体导入头体被设置在所述处理容器的一个侧壁上。
8.如权利要求1所述的气体导入装置,其特征在于:
所述多个气体喷射孔被区域化成多组,能够独立地对各区域进行控制。
9.如权利要求2所述的气体导入装置,其特征在于:
在所述各气体喷射孔和所述弯曲部之间的各主连通路的中途设置有缓冲室。
10.一种气体导入装置的制造方法,其特征在于:
所述气体导入装置被设置在可排气的处理容器内,用于向处理容器内导入气体,并且
其具有与所述处理容器内相对设置的气体导入头体,
在所述气体导入头体上设置有用于供给气体流动的供给气体流路,
在所述气体导入头体上设置有排气流路,
在所述气体导入头体上设置有用于控制气体流动的控制气体流路,
在所述气体导入头体的与所述处理容器相对的面上设置有多个气体喷射孔,
与所述各气体喷射孔对应地设置有与所述供给气体流路、所述排气流路和所述控制气体流路连通的纯流体逻辑元件,所述气体导入装置的制造方法包括:
形成构成气体导入头体的多个块体的工序,以及
以组装所述各块体的方式使它们接合由此形成所述气体导入头体的工序。
11.如权利要求10所述的气体导入装置的制造方法,其特征在于:
使所述各块体形成为长方体状,
在所述各块体上形成分别与供给气体流路、排气流路和控制气体流路对应的贯通孔,并且在所述各块体的表面上分别形成与形成各纯流体逻辑元件的各连通路对应的槽部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





