[实用新型]低电容过压保护器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种防雷系统中的低电容过压保护的半导体器件，尤指一种主要在高频领域应用的，其电容要求在30pF以下的低电容过压保护器件。

背景技术

在各种现代化通信网络设备中，经常会受到意外的电压瞬变的浪涌电流，如：雷电、静电放电、电磁辐射等，它们会使通信设备的性能下降、出现误动作甚至损坏、干扰系统的正常运行、降低装备的可靠性。

在常规P-N结中，越到表面，掺杂浓度越大，而表面的高浓度掺杂会对器件的电学参数带来了诸多不利影响，如低击穿、表面漏电、以及大电容等，导致它不适合在高频领域的应用。

发明内容

为了克服上述不足之处，本实用新型的主要目的旨在提供一种由三个P-N结组成双端四层双向对称结构的低电容过压保护器件。

本实用新型要解决的技术问题是：要解决器件中的掺杂类型问题，要解决器件的横截面问题，要解决器件由三个P-N结组成双端四层双向对称结构等有关技术问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：该装置由发射结、集电结、引脚及引线框架的半导体器件等组成，该芯片由三个P-N结组成双端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N₂、P₂、N₁、P₁四层，形成正偏发射结，为J1结，正偏转折结，为J3结，负偏集电结，为J2结；在发射结的外侧刻有铝层A，在铝层A的外侧设有铜引脚A，在N区的外侧刻有铝层B，在铝层B的外侧设有铜引脚B；在N区和P区之间设有短路孔；该半导体保护芯片的引脚通过金属引线与引线框架相连接。

所述的低电容过压保护器件的双端结构为K端和A端。

所述的低电容过压保护器件的半导体器件的横截面或为正方形或为方形或为其它形状。

所述的低电容过压保护器件的短路孔有8个或8个以上。

本实用新型的有益效果是：该器件具有三个P-N结组成的双端四层双向对称结构，主要应用在高频领域，其电容要求在30pF以下的低电容过压保护器件，不仅大大简化了保护单元的电路，提高了可靠性，而且降低了成本，该保护器件在未来对通信网络设备的安全性与可靠性起着不可估量的作用。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

附图1是本实用新型纵向结构示意图；

附图2是本实用新型图1的左侧部分简明示意图；

附图3是本实用新型横向结构示意图；

附图4是本实用新型伏安特性曲线示意图；

附图中标号说明：

101-铜引脚A；

102-铝层A；

103-发射结；

104-集电结；

105-转折结；

106-铝层B；

107-铜引脚B；

108-短路孔；

109-N区：

110-P区：

400-阻断区起点；

401-阻断区和转折区交点；

402-转折区终点：

403-转折区和负阻区交点；

404-导通区终点；

具体实施方式

请参阅附图1、2、3、4所示，本实用新型由发射结、集电结、引脚及引线框架的半导体器件等组成，该芯片由三个P-N结组成双端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N₂、P₂、N₁、P₁四层，形成正偏发射结103，为J1结，正偏转折结105，为J3结，负偏集电结104，为J2结；在发射结103的外侧刻有铝层A102，在铝层A102的外侧设有铜引脚A101，在N区109的外侧刻有铝层B106，在铝层B106的外侧设有铜引脚B107；在N区109和P区110之间设有短路孔108；该半导体保护芯片的引脚通过金属引线与引线框架相连接。

所述的低电容过压保护器件的双端结构为K端和A端。

所述的低电容过压保护器件的半导体器件的横截面或为方形或为其它形状。

所述的低电容过压保护器件的短路孔108有8个或8个以上。

请参阅附图1、2、3所示，该半导体过电压保护器件是双端四层结构，器件的基本结构如图1所示，P和N表示器件中的掺杂类型，以其中一个单向可控硅结构为例(图1虚线左侧部分)，器件有三个P-N结，图1中“103”记为J1结、“104”记为J2结、“105”记为J3结，可以参照图2的简明示意图。