[实用新型]低电容过压保护器件无效
| 申请号： | 200720072968.0 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN201097401Y | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 傅坚;李怀东;张关宝;杨力宏;张小平 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 保护 器件 | ||
【权利要求书】：
1. 一种低电容过压保护器件，该器件有发射结、集电结、引脚及引线框架的半导体器件，其特征在于：该芯片由三个P-N结组成双端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N2、P2、N1、P1四层，形成正偏发射结(103)，为J1结，正偏转折结(105)，为J3结，负偏集电结(104)，为J2结；在发射结(103)的外侧刻有铝层A(102)，在铝层A(102)的外侧设有铜引脚A(101)，在N区(109)的外侧刻有铝层B(106)，在铝层B(106)的外侧设有铜引脚B(107)；在N区(109)和P区(110)之间设有短路孔(108)；该半导体保护芯片的引脚通过金属引线与引线框架相连接。
2. 根据权利要求1所述的低电容过压保护器件，其特征在于：所述的双端结构为K端和A端。
3. 根据权利要求1所述的低电容过压保护器件，其特征在于：所述的半导体器件的横截面为方形。
4. 根据权利要求1所述的低电容过压保护器件，其特征在于：所述的短路孔(108)有8个或8个以上。
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