[发明专利]存储器控制器以及优化存储器控制器的接合垫序列的方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器控制器与其优化的方法，特别是涉及优化存储器控制器的接合垫序列(pad sequence)与脚位序列(pinout sequence)。

背景技术

对大多数的电子产品而言，存储器都是很重要的，其不只是需要有高存储器容量，而且也需要有高传输速度。存储器中有一种称为双倍数据速度(double data rate，DDR)同步动态随机存取存储器(synchronous dynamicrandom access memory，SDRAM)，其在时钟信号的上升沿以及下降沿同时传输数据，提供比现有技术中单倍数据速度的SDRAM更高的数据频宽。

目前，DDR1(也就是DDR第1代)已经渐渐地被DDR2给取代了，虽然DDR2的操作原理大致上跟DDR1一样，但是，DDR2采用了许多的改进，来提高时钟信号的频率。DDR2已经成为存储器标准与速度中的比较先进的代表之一，其整合了许多较新颖的电路设计与规格，这些都对传输速度有所贡献。譬如说，DDR2需要有芯片上终端电阻(on-die tremination，ODT)，来减少过多的信号噪声，而DDR1仅需要电路板上终端电路(on-board termination)。DDR2跟DDR1采用不一样的外部电压，分别是2.5伏特与1.8伏特。DDR2需要离线驱动(off-chip driver)阻抗校正(impedance calibration)，但是DDR1则不需要。DDR2采用了四比特(4-bit)的数据预取架构(prefetch)，而DDR1仅仅采用了两比特(2-bit)的数据预取架构。DDR2的细密球型网数组(fine-pitch ball grid array，FBGA)封装使得其IC封装后大小比起采用薄型小尺寸封装(thin small outline package，TSOP)的DDR1来的更小。

当前，DDR2与DDR1正处于一个电子产品交替换代的阶段。尽管DDR2自身功能上比较优秀，而一些对成本很在乎的电子产品可能还是会倾向于采用DDR1，而不是DDR2。为了支持当下发展的需求，针对不同存储器的设计与规格往往会被组合在单一芯片中，不同的DRAM或是存储器控制器的研发与供应可快速的赶上市场的需求。因此，通过内连接层置换方式(interconnection layer switching)，可编程来支持DDR1与DDR2的单一芯片已经有出现在市场上了。通过置换掩模(mask)的方式，一个DDR1/DDR2混合芯片可使其自己符合DDR1或是DDR2所要求的设计与规格。只是，单单只是符合DDR1或是DDR2的协议所要求的设计与规格，对于DDR1/DDR2混合芯片而言，可能还是不够的。

发明内容

因此，本发明提供一种存储器控制器及优化存储器控制器的接合垫序列的方法，以优化存储器到存储器控制器之间的信号路径，以保证信号品质。

本发明实施例提供的一种存储器控制器，其设置于单芯片上。该存储器控制器包含：核心逻辑电路，具有多个输入/输出端；多个输入/输出元件，每一输入/输出元件具有接合垫；以及重排器，耦接于该多个输入/输出元件与该多个输入/输出端之间，其中，该重排器可被编程，以选择性地连接该多个输入/输出元件至该多个输入/输出端，以使得该单芯片可提供并支持至少两种不同接合垫序列，每一接合垫序列对应至少一存储器装置。

该重排器也可以以置换内连接层方式来进行编程。

该重排器也可以包含：多工器，连接于该多个输入/输出元件与该多个输入/输出端之间；以及缓存器，用以控制该多工器；其中，该重排器通过设定该缓存器来进行编程。

该至少两种不同接合垫序列也可以分别支持DDR1SDRAM与DDR2SDRAM。

该至少一个存储器装置以及该单芯片也可以封装在多芯片模块或是叠层芯片封装中。

也可以是，该多个输入/输出端具有多个数据输入/输出端，该多个数据输入/输出端固定连接到多个相对应的接合垫。