[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710300704.0 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101211944A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金升炫 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器，包括：
栅极，位于半导体衬底的有源区域中的栅极绝缘层上；
光电二极管区域，位于该栅极一侧的半导体衬底中；
浮置扩散区域，位于该栅极另一侧的半导体衬底中；
补偿杂质区域，位于该栅极的该另一侧的半导体衬底中，并叠置在该浮置扩散区域上。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中该栅极位于转移晶体管中。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中该栅极的一侧与该光电二极管区域的端部对准。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中至少部分该补偿杂质区域与隔离层邻近。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中至少部分该浮置扩散区域位于该补偿杂质区域和该栅极之间。
6.一种制造CMOS图像传感器的方法，该方法包括以下步骤：
在半导体衬底的预定区域中的栅极绝缘层上形成栅极；
在该栅极一侧的半导体衬底中形成光电二极管区域；
在该栅极两侧形成绝缘侧壁；以及
在该栅极另一侧的半导体衬底中形成浮置扩散区域；以及
在该半导体衬底中形成补偿杂质区域，且该补偿杂质区域叠置在该浮置扩散区域上。
7.根据权利要求6所述的方法，其中该栅极位于转移晶体管中。
8.根据权利要求6所述的方法，其中该栅极的一侧与该光电二极管区域的端部对准。
9.根据权利要求6所述的方法，其中至少部分该补偿杂质区域与隔离层邻近。
10.根据权利要求6所述的方法，其中至少部分该浮置扩散区域位于该补偿杂质区域和该栅极之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
