[发明专利]静电放电防护电路

权利要求书

1.一种静电放电ESD防护电路，连接于一输入垫以及一内部电路，该静电放电防护电路包括：

一主要ESD防护组件，连接于该输入垫，用以箝制该输入垫的电压；

一第一电阻，具有一第一端用以连接该输入垫，以及一第二端用以连接至该内部电路；以及

一次要组件，连接至该第一电阻的该第二端以及该主要ESD防护组件，用以箝制该内部电路的电压；

其中，当一ESD事件发生时，该次要组件首先导通以接收一ESD电流，并据以提供一触发电流以导通该主要ESD防护组件。

2.如权利要求1所述的防护电路，其中该主要ESD防护电路更包括一反馈组件，该反馈组件具有一寄生双极结晶体管BJT，且该次要组件连接至该反馈组件的一基板。

3.如权利要求2所述的防护电路，其中该反馈组件系为一场氧化组件，该次要组件系为一栅极接地n型金属氧化物半导体NMOS晶体管，且该栅极接地NMOS晶体管的一源极连接至该反馈组件的该基板。

4.如权利要求2所述的防护电路，其中该反馈组件包括级联式NMOS晶体管，该次要组件包括RC耦接的级联式NMOS晶体管，且该些RC耦接的级联式晶体管的一源极连接至该反馈组件的该基板。

5.如权利要求2所述的防护电路，其中当该ESD事件发生时，该次要组件系根据该ESD电流来提供该触发电流至该反馈组件的该基板以导通该BJT。

6.如权利要求1所述的防护电路，其中当该ESD事件发生时，导通该次要组件将该ESD电流输出为该触发电流以导通该主要ESD防护电路。

7.如权利要求1所述的防护电路，更包括一第二电阻，连接于该第一电阻的该第二端以及该内部电路之间。

8.如权利要求7所述的防护电路，其中该第一电阻的电阻值介于30欧姆至50欧姆，且该第一电阻与该第二电阻的电阻值总和大于200欧姆。

9.如权利要求1所述的防护电路，其中该第一电阻的电阻值大于200欧姆。

10.如权利要求1所述的防护电路，其中该输入垫系为一输入/输出I/O垫。