[发明专利]晶片电阻元件及其制造方法

权利要求书

1、一种晶片电阻元件，包含一块基材、二个正端电极、二个背端电极、一层电阻层，及二个侧面电极，该基材以绝缘材料构成并成板状，且具有一背面、二分别自该背面的相反两侧向上延伸的侧面，及一连接该二侧面顶边的正面，该二正端电极以导电材料构成并相间隔地形成在该基材的正面上，且该每一正端电极相对远离另一正端电极的侧边与该基材的一侧面相重合，该二背端电极以导电材料构成并相间隔地形成在该背面上，且该每一背端电极相对远离另一背端电极的侧边与该基材的一侧面相重合，该电阻层是以具有微欧姆尺度电阻值的材料构成，并形成在该基材背面且位于该二背端电极部之间的区域，且该电阻层的两相反侧边区域分别与该二背端电极部侧边区域相连接，该二侧面电极以导电材料构成并分别形成在该基材的二侧面上且分别与同一侧边的该正、背端电极相电连接，其特征在于：

该晶片电阻元件还包含一层保护膜，及二层镀膜，该保护膜对应包覆该电阻层表面使其与外界相隔绝，该二镀膜分别自同侧边的该正端电极、侧面电极与背端电极表面向上形成，每一镀膜具有一层以铜为主成分并与该正端电极、侧面电极与背端电极表面连接的第一镀层、一层以镍为主成分并与该第一镀层表面连接的第二镀层，及一层以锡为主成分并与该第二镀层表面连接的第三镀层。

2、如权利要求1所述的晶片电阻元件，其特征在于其中所述第一、第二、第三镀层的厚度总和大于该基材背面至该保护膜表面的距离。

3、如权利要求2所述的晶片电阻元件，其特征在于其中所述的第一镀层的厚度大于该第二、第三镀层的厚度和。

4、如权利要求3所述的晶片电阻元件，其特征在于其中所述的电阻层具有预定的几何形状，且该保护膜包括一形状与该电阻层相似并与连接在该电阻层表面的绝缘层，及一与连接在该绝缘层表面上的包覆层。

5、如权利要求4所述的晶片电阻元件，其特征在于其中所述的电阻层的材料是选自于钽、铬、镍、铝、锰、铜、银、钯、铂，或此等的组合。

6、一种晶片电阻元件的制造方法，其特征在于其包含以下步骤：

(a).在一块绝缘基板的上表面形成多数条交错纵横间隔排列的破裂槽，该二相邻的横、纵向破裂槽共同定义出一元件单体区；

(b).对应于每一纵向破裂槽，在该基板下表面以导电材料形成二条对应位于该纵向破裂槽相反两侧的背端电极条；

(c).对应于每一纵向破裂槽，在该基板上表面以导电材料形成二条位于该纵破裂槽相反两侧的正端电极条；

(d).在该基板下表面的每二相邻的背端电极之间的区域，以金属材料形成一条电阻层条，且该电阻层条的两侧分别与该二背端电极条相连接；

(e).在该多数电阻层条上以绝缘材料分别形成一条绝缘层条；

(f).以高能量射束对应每一元件单体区切割调变该多数绝缘层条与电阻层条的几何形状，以调变该每一元件单体区的对应阻值；

(g).在该步骤(f)制得的半成品的绝缘层条表面形成一条包覆层条，以使该具有预定几何形状的电阻层条是与外界隔绝；

(h).沿该多数纵向破裂槽破裂该步骤(g)制得的半成品，得到多数个条状半成品；

(i).在该每一条状半成品的二破裂面以导电材料形成分别与该正、背端电极条电连接的侧面电极条；

(j).沿该步骤(i)制得的每一条状半成品的横向破裂槽破裂该多数条状半成品，得到多数个晶片电阻元件半成品单体，每一晶片电阻元件半成品单体皆具有二个正端电极、二个背端电极、二个侧面电极、一层电阻层，及一层保护膜；以及

(k).自该每一晶片电阻元件半成品单体的二正、背、侧面电极表面依序以铜为主要材料成分、镍为主要材料成分、锡为主要材料成分而形成二层分别包含有一层第一镀层、一层第二镀层，及一层第三镀层的镀膜，制得多数晶片电阻元件。

7、如权利要求6所述的晶片电阻元件的制造方法，其特征在于其中所述的正端电极条以印刷方式成形。

8、如权利要求6所述的晶片电阻元件的制造方法，其特征在于其中所述的背端电极条以印刷方式成形。

9、如权利要求6所述的晶片电阻元件的制造方法，其特征在于其中所述的背端电极条以金属箔贴合方式成形。

10、如权利要求6所述的晶片电阻元件的制造方法，其特征在于其中所述的背端电极条以真空溅镀方式成形。