[发明专利]测试分选机中半导体器件的传送方法及装置无效
申请号: | 200710181330.5 | 申请日: | 2007-10-18 |
公开(公告)号: | CN101373726A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 李镇焕 | 申请(专利权)人: | 赛科隆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B65G49/00;B65G37/00;B65G47/26;B65G47/90;G01R1/02;G01R31/26;G01R31/28;B07C5/00 |
代理公司: | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 尹洪波 |
地址: | 韩国忠南*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 分选 半导体器件 传送 方法 装置 | ||
1.一种在盘之间传送半导体器件的方法,所述盘具有多个用于收纳所述半导体器件的插槽,该方法包括:
调节缓冲盘的行方向的x间距以使其与第一盘的行方向的x间距相等;及
将所述半导体器件从所述第一盘传送至所述缓冲盘。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述缓冲盘包括以所述缓冲盘的列方向延伸的多对单元缓冲盘,并且,其中调节所述缓冲盘的x间距包括:
调节所述单元缓冲盘对之间的第一x间距;及
调节所述单元缓冲盘对中的第一单元缓冲盘与第二单元缓冲盘之间的第二x间距。
3.如权利要求2所述的方法,其中各所述第一单元缓冲盘与第二单元缓冲盘包括以一列方式排列的多个插槽。
4.如权利要求1所述的方法,其中将所述半导体器件传送至所述缓冲盘包括:
使用包括多个拾取器的拾取器系统将所述半导体器件拾取出所述第一盘;
将抓持所述半导体器件的所述拾取器移动至所述缓冲盘的上方;及
将所述半导体器件从所述拾取器收纳到所述缓冲盘的插槽中,
并且其中在将所述拾取器移动至所述缓冲盘上方的同时使所述拾取器系统列方向的y间距与所述缓冲盘列方向的y间距相等。
5.如权利要求4所述的方法,其中所述拾取器系统包括以所述拾取器系统的行方向延伸的多对拾取器单元,
并且其中通过调节所述拾取器单元对之间的第一y间距、且调节所述拾取器单元对中的第一拾取器单元与第二拾取器单元之间的第二y间距,来调节所述拾取器系统的y间距。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述缓冲盘包括多个单元缓冲盘,并且其中各所述单元缓冲盘包括以多列方式排列的多个插槽。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述缓冲盘的x间距包括所述单元缓冲盘之间的第一x间距,以及各所述单元缓冲盘的所述插槽之间的第二x间距,
并且其中调节所述缓冲盘的x间距包括调节所述单元缓冲盘之间的第一x间距,
并且其中将所述半导体器件传送至所述缓冲盘包括:
使用包括以行和列方式排列的多个拾取器的拾取器系统将所述半导体器件拾取出所述第一盘,其中所述拾取器系统在所述拾取器系统行方向上具有与所述缓冲盘的第二x间距不同的x间距;
将抓持所述半导体器件的所述拾取器移动至所述缓冲盘的上方;及
在以步进方式使所述拾取器以所述缓冲盘的行方向移动的同时,将所述半导体器件从所述拾取器收纳到所述缓冲盘的插槽中。
8.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
调节所述缓冲盘的x间距以使其与第二盘的行方向的x间距相等;及
将所述半导体器件从所述缓冲盘传送至所述第二盘。
9.如权利要求1所述的方法,其中将所述半导体器件传送至所述缓冲盘包括:
使用以行和列方式排列的拾取器将所述半导体器件拾取出所述第一盘;
将抓持所述半导体器件的所述拾取器移动至所述缓冲盘的上方;及
在以步进方式使所述缓冲盘以所述缓冲盘的列方向移动的同时,以一次一行的方式依次将所述半导体器件收纳到所述缓冲盘中。
10.一种在盘之间传送半导体器件的装置,所述盘具有多个用于收纳所述半导体器件的插槽,该装置包括:
具有以行和列方式排列的多个插槽的缓冲盘;
连接至所述缓冲盘以调节所述缓冲盘的行方向的x间距的传动部;及
将所述半导体器件从第一盘传送至所述缓冲盘的拾取器系统。
11.如权利要求10所述的装置,其中所述缓冲盘包括以所述缓冲盘的列方向延伸的多对单元缓冲盘,
并且其中所述传动部包括:
第一传动部,其调节所述单元缓冲盘对之间的第一x间距;及
第二传动部,其调节所述单元缓冲盘对中的第一单元缓冲盘与第二单元缓冲盘之间的第二x间距。
12.如权利要求11所述的装置,其中所述第一传动部包括:
至少一个齿条;
齿轮机构,其包括至少一个与所述至少一个齿条啮合的输出齿轮;及
与所述齿轮机构连接以向所述齿轮机构提供旋转力的电动机单元,
并且其中所述至少一个齿条使所述单元缓冲盘对中的至少一对以所述缓冲盘的行方向移动以调节所述第一x间距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造