[发明专利]用于制造抗反射薄膜的化合物以及抗反射薄膜的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710170356.X 申请日: 2007-11-15
公开(公告)号: CN101434614A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 翁畅健;陈庆松 申请(专利权)人: 达信科技股份有限公司
主分类号: C07F7/04 分类号: C07F7/04;G02B1/11
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;李丙林
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 反射 薄膜 化合物 以及 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种用于制造抗反射薄膜的化合物以及一种抗反射薄膜的制造方法,用于制造可降低光学组件或显示装置的显示器屏幕薄膜的光反射率。

背景技术

光反射率是影响光学组件或显示装置的显示器中的屏幕显示效果的重要因素之一。较低的光反射率可改善显示效果。因此,光学组件或显示装置的显示器多会使用抗反射薄膜以降低光反射率。

造成光反射的主要原因在于,当光波行进经过不同介质时,由于不同介质具有不同折射率,导致有部分光会从不同介质界面射回原介质中。

已知的可降低光反射率的薄膜包括氟化物薄膜。其原理在于氟化物薄膜的折射率比基材低,且所反射的光线的相位差达到180°,两界面的反射光线由于形成破坏性干涉而达到降低光反射的目的。氟化物薄膜包括利用蒸镀法形成,然而,该方法在制作较大面积的基板时,难以利用蒸镀法形成均匀的氟化物薄膜。

在中国台湾专利第91136165号披露具有纳米结构的低反射率薄膜。其原理是利用在薄膜表面形成雕纹等结构变化,进而使折射率产生变化。然而,该方法在工艺上较为繁琐且成本较高。另外,在美国专利US20060099407中披露,在纳米粒子表面上改性使具有反应性的末端官能基之后,再通过纳米粒子相互堆栈所形成的孔隙而制成低反射率薄膜。这种薄膜浊度值(Haze)较高,且因结构中孔隙较多而容易造成结构松散,导致耐磨耗等物理性质不好。

在日本专利特开昭61-40845及特公平6-98703中披露涂布氟代烷基硅烷或具有特定结构的氟代聚合物的方法。然而添加过量的氟代化合物往往导致润湿效果差以及薄膜物理性质不良的缺点。在美国专利US6472012中所披露的另一低光反射率薄膜制造方法的工艺中需要经过420℃的高温处理,并不适于应用在如偏光板等不耐高温的基板上。在美国专利US6773121中披露以常用的硅氧烷溶胶-凝胶前体单体与含氟硅氧烷基等单体进行低温的溶胶-凝胶反应,以制成抗反射薄膜。但是这种薄膜的抗反射程度并不理想。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种用于制造抗反射薄膜的化合物,使薄膜具有较低的光反射率。

本发明的另一主要目的在于提供一种用于制造抗反射薄膜的化合物,使薄膜具有较高的耐磨耗度与硬度的物理性质。

本发明的另一主要目的在于提供一种抗反射薄膜的制造方法,使薄膜具有较低的光反射率。

本发明的另一主要目的在于提供一种抗反射薄膜的制造方法,使薄膜具有较高的耐磨耗度和硬度的物理性质。

本发明的用于制造抗反射薄膜的化合物,其具有Si(OR)3-O-[Si(OR)2-O]n-Si(OR)3的结构,式中,R选自C3H9-、C2H5-或CH3-,并且n为1至15的整数。化合物分子量为400至2000。

本发明的抗反射薄膜的制造方法步骤包括:准备第一溶液,通过将上述化合物、氟代硅氧烷基单体、催化剂以及溶剂的混合溶液进行溶胶-凝胶反应而形成;将第一溶液涂布于表面;以及进行干燥工序,以形成抗反射薄膜。氟代硅氧烷基单体,具有CF3(CF2)mCH2CH2-Si(OX)3的结构,式中,X选自C3H9-、C2H5-或CH3-,m为0至10的整数。

方法进一步包括:准备第二溶液,通过将直链型硅氧烷低聚物、催化剂以及溶剂的混合溶液进行溶胶-凝胶反应而形成;以及以第一溶液与第二溶液的混合溶液代替涂布步骤中的第一溶液而涂布于表面。催化剂包括酸性或碱性物质。

附图说明

图1为本发明的抗反射薄膜的制造方法的实施例流程图;以及

图2为本发明的抗反射薄膜的制造方法的优选实施例流程图。

具体实施方式

本发明提供一种用于制造抗反射薄膜的化合物,以及一种抗反射薄膜的制造方法。

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