[发明专利]用于制造抗反射薄膜的化合物以及抗反射薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造抗反射薄膜的化合物，具有下式所示的结构：Si(OR)₃-O-[Si(OR)₂-O]_n-Si(OR)₃，其中，R选自C₃H₉-、C₂H₅-或CH₃-；并且n为1至15的整数。

2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物的分子量为400至2000。

3.一种用于制造抗反射薄膜的化合物组合物，含有：

直链型硅氧烷低聚物，具有下式所示的结构：Si(OR)₃-O-[Si(OR)₂-O]_n-Si(OR)₃，其中，R选自C₃H₉-、C₂H₅-或CH₃-；并且n为1至15的整数；以及

氟代硅氧烷基单体，具有下式所示的结构：CF₃(CF₂)_mCH₂CH₂-Si(OX)₃，其中，X选自C₃H₉-、C₂H₅-或CH₃-；

并且m为0至10的整数。

4.根据权利要求3所述的化合物组合物，其中所述直链型硅氧烷低聚物的分子量为400至2000。

5.一种抗反射薄膜制造方法，包括以下步骤：

准备第一溶液，通过将直链型硅氧烷低聚物、氟代硅氧烷基单体、催化剂以及溶剂的混合溶液进行溶胶-凝胶反应而形成；

将所述第一溶液涂布于表面；以及

进行干燥工序，以形成所述抗反射薄膜；

其中，所述直链型硅氧烷低聚物具有下式所示的结构：

Si(OR)₃-O-[Si(OR)₂-O]_n-Si(OR)₃，其中，R选自C₃H₉-、C₂H₅-或CH₃-，n为1至15的整数；

所述氟代硅氧烷基单体具有下式所示的结构：CF₃(CF₂)_mCH₂CH₂-Si(OX)₃，其中，X选自C₃H₉-、C₂H₅-或CH₃-，

m为0至10的整数。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

准备第二溶液，通过将所述直链型硅氧烷低聚物、所述催化剂以及所述溶剂的混合溶液进行溶胶-凝胶反应后而形成；以及

以所述第一溶液与所述第二溶液的混合溶液代替所述涂布步骤中的所述第一溶液而涂布于所述表面。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述催化剂包括酸性或碱性物质。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述溶剂由异丙醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇、甲乙酮、甲基异丁酮、乙二醇正丙醚、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、二亚乙基乙二醇单甲醚、二亚乙基乙二醇单乙醚、亚丙基乙二醇单甲醚或其混合物中选择。