[发明专利]用于半导体器件的非铸模封装

说明书

本申请是申请日为“2002年1月17日”、申请号为“02804436.3”、题为“用于半导体器件的非铸模封装”的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种用于半导体器件的封装，具体地说，涉及一种用于不需要铸模体的半导体器件的封装。

背景技术

通常，半导体器件，特别是MOS场效应晶体管，需要有具有良好热性能的非常低的封装电阻(RDSon)。通常，它还需要有简单、快速而又有效的方法来封装半导体器件。因此，在现有的技术中，已经发展了许多封装想法和方法。

一种这样的封装相法的一个例子包含有球栅阵列(ball grid array BGA)。这样一种想法包含源栅极阵列和直接连接到印刷电路板(PCB)上的栅漏焊球。这就需要一个凸出芯片和用来便于漏接触的引线框，另一封装想法是一般被称之为导入铸模封装中的反装晶片(Flip chip in beaded Molded Package，FLMP)，它包括铸模的导入表面安装封装，在这封装上把凸出的芯片连接到框架的栅和源的漏点。在芯片背侧的漏从铸模综合体即本体上曝露出来，并通过标准线路板安装工艺过程中的焊料回流被连接到PCB。另外的封装想法使用铜带和/或金属线焊接技术。

这些现有技术的想法牵涉到各种组成部分，并可能导致复杂的制作(封装)工艺。

发明内容

本发明提供一种方法，包括：提供基片；提供芯片，把焊料放在所述基片和所述芯片中的至少一个上；把所述芯片反装到所述基片上；以及把焊球放在与所述芯片相邻的基片上，从而形成半导体器件。

本发明还提供一种封装半导体器件的方法，包括：提供基片；提供芯片；同时用焊料把所述芯片耦连到所述基片，并把焊球放在与芯片相邻的基片上；以及使所述焊料和焊球回流。

根据本发明，所述方法还包括：测试所述芯片、基片和焊球的组合；整平所述基片，以及再测试该芯片、基片和焊球的组合。

根据本发明，所述方法还包括：提供第二芯片，把焊料放在所述基片和所述第二芯片中的一个上，以及把所述第二芯片耦连到基片上。

较佳地，根据本发明，所述基片包括基本层和金属层。

较佳地，根据本发明，所述基片包括基本材料，该基本材料包括金属化的图形。

较佳地，根据本发明，至少一个焊球在所述芯片的栅极区上。

较佳地，根据本发明，至少一个焊球在所述芯片的栅极区和源极区上。

较佳地，根据本发明，所述基片包括金属化的陶瓷片。

较佳地，根据本发明，所述半导体芯片包括MOSFET。

根据本发明，所述方法还包括：反装所述半导体器件，并将所述芯片的背面焊接到一电路板。

本发明的特点和优点将在阅读并理解列于下文的较佳示范性实施例的详细描述，连同参考附图，后理解，在附图中的相同数字代表相同的元件。

附图说明

图1是根据本发明半导体器件的平面图，

图2是示于图1半导体器件的沿直线A-A所见到的侧截面图；

图3是根据本发明另一半导体器件的平面图；

图4是示于图3半导体器件的沿直线B-B所见到的侧截面图；

图5是根据本发明替换实施例的侧截面图。

具体实施方式

图1示出半导体器件的一个MOS场效应晶体管10，它包括芯片11，基片12和焊球13。该基片包括栅极区14。

正如在图2中见到的，该基中较佳地包括基本层20，和顶部金属层21。基本层和顶部金属层由绝缘层22所分开，较佳的是把这两层连接起来的绝缘外延层。基本材料较佳的是包括金属化图形，而顶部金属层较佳的是包括另一金属化图形，金属层也可用作热播散器。

芯片较佳的是用高温焊浆连接到基片，但是也可用在本技术领域中知道的任何合适的导电性内连来连接。把焊球放在芯片对面的侧面上与芯片邻近，其中至少把一个焊球放在基片的栅极区上。

因此，在使用时，把半导体器件放在印刷电路板上并用焊浆或合适的导电性内连把芯片的表面直接连接到PCB，从而用作漏连接。连接到基片的芯片表面包括芯片的栅极区和源区。因此，在基片栅极区中的焊球用来把芯片的栅极区连接到PCB而余下的焊球通过基片把芯片的源区连接到PCB。从而，基片的栅极区与基片的其余部分是电绝缘的。

制作即封装这样一种半导体器件的方法包括把焊浆放在基片和芯片中的一个并把芯片附着于基片的反装晶片上。然后，较佳的是要测试这种组合。于是平整该半导体器件并对该半导体器件再测试。