[发明专利]用于半导体器件的非铸模封装无效
| 申请号： | 200710162352.7 | 申请日： | 2002-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101154607A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | R·乔希 | 申请（专利权）人： | 费查尔德半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 铸模 封装 | ||
1.一种方法，包括：
提供基片；
提供芯片，
把焊料放在所述基片和所述芯片中的至少一个上；
把所述芯片反装到所述基片上；以及
把焊球放在与所述芯片相邻的基片上，
从而形成半导体器件。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
测试所述芯片、基片和焊球的组合；
整平所述基片，以及
再测试该芯片、基片和焊球的组合。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：提供第二芯片，把焊料放在所述基片和所述第二芯片中的一个上，以及把所述第二芯片耦连到基片上。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片包括基本层和金属层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片包括基本材料，该基本材料包括金属化的图形。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，至少一个焊球在所述芯片的栅极区上。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，至少一个焊球在所述芯片的栅极区和源极区上。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片包括金属化的陶瓷片。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体芯片包括MOSFET。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
反装所述半导体器件，并将所述芯片的背面焊接到一电路板。
11.一种封装半导体器件的方法，包括：
提供基片；
提供芯片；
同时用焊料把所述芯片耦连到所述基片，并把焊球放在与芯片相邻的基片上；以及
使所述焊料和焊球回流。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基片包括基本层和金属层。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基片包括基本材料，该基本材料包括金属化的图形。
14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基片包括金属化的陶瓷片。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述半导体芯片包括MOSFET。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
