[发明专利]具有双边带陡降特性的新型频率选择表面无效
申请号: | 200710156828.6 | 申请日: | 2007-11-12 |
公开(公告)号: | CN101286584A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 罗国清;孙玲玲 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/207 | 分类号: | H01P1/207;H01P1/20;H01P5/12;H01P11/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310018浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 双边 带陡降 特性 新型 频率 选择 表面 | ||
1、具有双边带陡降特性的新型频率选择表面,包括介质基片,其特征在于:介质基片的两面镀有金属层,分别是上金属层和下金属层;贯穿上金属层、介质基片和下金属层周期性地开有多组通孔,通孔内壁镀金属层,形成金属化通孔;每组金属化通孔排列为两个相邻的正方形,分别构成高频基片集成波导腔体和低频基片集成波导腔体,高频基片集成波导腔体的边长小于低频基片集成波导腔体的边长;高频基片集成波导腔体中心点和低频基片集成波导腔体中心点的连线与高频基片集成波导腔体以及低频基片集成波导腔体对应的边平行;
对应高频基片集成波导腔体和低频基片集成波导腔体的区域内的上、下金属层分别对应蚀刻有完全相同的四个正方环形的耦合缝隙,四个耦合缝隙与对应的高频基片集成波导腔体和低频基片集成波导腔体的中心分别重合、四边分别平行;
对应的一个高频基片集成波导腔体、一个低频基片集成波导腔体和四个耦合缝隙组成频率选择表面的一个周期单元,多个周期单元顺序排列,构成周期单元的矩形网格阵列。
2、如权利要求1所述的具有双边带陡降特性的新型频率选择表面,其特征在于所述的金属化通孔的直径小于频率选择表面工作的中心频率所对应空气波长的十分之一,金属化通孔的直径和基片集成波导腔体同一边上相邻两个金属化通孔的孔心距的比值大于0.5。
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