[发明专利]磁性石榴石材料、光器件、铋置换稀土类铁榴石单晶膜及制法、坩埚

权利要求书

1.一种Bi置换稀土类铁榴石单晶膜的制造方法，其特征在于，是采用液相外延法制造铋置换稀土类铁榴石单晶膜的方法，具有以下步骤：将前述铋置换稀土类铁榴石单晶膜的原料组成物和助熔剂组成物投入到至少在熔融物接触的部位配Au的坩埚中的步骤；加热、熔融前述原料组成物得到熔融物的步骤；将前述熔融物降温到前述铋置换稀土类铁榴石单晶膜的育成温度的步骤；一边使降温的前述熔融物接触单晶膜育成基板，一边育成前述铋置换稀土类铁榴石单晶膜的步骤。

2.一种坩蜗，其特征为，是在采用液相外延法制造铋置换稀土类铁榴石单晶膜时使用的坩埚，前述坩埚的至少与熔融物接触的区域由Au或Au合金构成。

3.一种磁性石榴石材料，其特征在于，用由Bi置换稀土类铁榴石构成的单晶膜构成，前述单晶膜中的置换铁位点的元素的浓度变动为200％以下，且在补偿温度的饱和磁化为20G以下。

4.权利要求3所述的磁性石榴石材料，其特征在于，前述置换铁位点的元素是Pt，Pt的浓度变动为200％以下。

5.权利要求3所述的磁性石榴石材料，其特征在于，前述单晶膜具有以下的化学组成：Bi_3-xA_xFe_(5-y)M_yO₁₂，式中，A＝从含Y的稀土类元素、Ca及Pb的组中选出的1种或2种以上，M＝从Ga、Al、Ge、Sc、In、Si、Ti、Mg、Mn、Zr、Au、Ir、Rh及Pt的组中选出的1种或2种以上，0.2≤x≤2.5，0≤y≤2.0。

6.权利要求5所述的磁性石榴石材料，其特征在于，作为前述M至少选择Ga，并且表示Ga量的y在0.8≤y≤2.0的范围。

7.一种光器件，其特征在于，该光器件具备顺向的光入射的第1光学元件、与前述第1光学元件隔规定间隔而对置的前述顺向的光射出的第2光学元件、配置在前述第1光学元件和前述第2光学元件之间，使透过前述第1光学元件的光的偏光面旋转并向前述第2光学元件射出的法拉第转子，前述法拉第转子由所含的Pt量按摩尔比计为0.01以下、在表面和背面的Pt的浓度变动为200％以下的铋置换稀土类铁榴石单晶膜构成。

8.一种铋置换稀土类铁榴石单晶膜的制造方法，其特征在于，它是采用液相外延法制造由铋置换稀土类铁榴石构成的单晶膜的方法，具备将前述铋置换稀土类铁榴石的原料组成物和助熔剂组成物投入到坩埚中的步骤、和加热、熔融前述原料组成物得到熔融物的步骤、将前述熔融物降温到前述单晶膜的育成温度的步骤、以及一边使降温的前述熔融物接触单晶膜育成基板一边育成前述单晶膜的步骤，在比大气更有还原性的气氛下进行得到前述熔融物的步骤以后的处理。

9.一种铋置换稀土类铁榴石单晶膜的制造方法，其特征在于，该方法是采用液相外延法制造由铋置换稀土类铁榴石构成的单晶膜的方法，具备将前述铋置换稀土类铁榴石的原料组成物和助熔剂组成物投入到坩埚中的步骤、和加热、熔融前述原料组成物得到熔融物的步骤、将前述熔融物降温到铋置换稀土类铁榴石单晶膜的育成温度的步骤、以及一边使降温的前述熔融物接触单晶膜育成基板一边育成前述铋置换稀土类铁榴石单晶膜的步骤，作为前述助熔剂组成物使用无铅助熔剂组成物。

10.一种单晶膜，其特征是，它是由采用液相外延法育成的铋置换稀土类铁榴石构成的单晶膜，作为在前述液相外延法中使用的助熔剂组成物，通过使用无铅助熔剂，限制了杂质从前述助熔剂组成物混入。