[发明专利]保护连接垫的晶片级封装的切割方法

权利要求书

1、一种保护连接垫的晶片级封装的切割方法，包含：

提供一上盖晶片，该上盖晶片包含正面与背面；

自该上盖晶片的该正面进行一表面定义工艺，以同时于该上盖晶片中形成多个腔体及多个预切割道，且各该预切割道的深度小于各该腔体的深度；

提供一元件晶片，该元件晶片的表面设有多个元件以及多个连接垫；

接合该上盖晶片与该元件晶片，将这些腔体对齐这些元件以使得该上盖晶片与该元件晶片之间形成多个气密腔，分别密封各该元件；

自该上盖晶片的该背面进行一上盖晶片切割工艺，沿着这些预切割道切割该上盖晶片，使得未与该元件晶片接合的部分该上盖晶片脱离以暴露出该元件晶片的这些连接垫；以及

进行一元件晶片切割工艺，形成多个独立的封装管芯。

2、如权利要求1所述的切割方法，其中该预切割道的线宽小于70微米。

3、如权利要求1所述的切割方法，其中该表面定义工艺为一蚀刻工艺。

4、如权利要求3所述的切割方法，其中这些预切割道的线宽小于这些腔体的线宽，由此在该蚀刻工艺后这些预切割道的深度小于这些腔体的深度。

5、如权利要求1所述的切割方法，其中该上盖晶片切割工艺包含一蚀刻工艺。

6、如权利要求1所述的切割方法，其中该上盖晶片切割工艺包含利用一切割刀具进行该上盖晶片切割工艺。

7、如权利要求1所述的切割方法，另包含有于该元件晶片的这些连接垫外露之后，进行一晶片级测试。

8、一种保护连接垫的晶片级封装的切割方法，包含：

提供第一晶片；

提供一粘着层，固定该第一晶片的一背面至一晶片载具；

自该第一晶片的一正面进行一表面定义工艺，同时形成多个腔体边渠及多个预切割道于该第一晶片，这些腔体边渠位于这些预切割道间并包围部分的第一晶片，且各该预切割道的深度小于各该腔体边渠的深度；

移除该粘着层、该晶片载具及被这些腔体边渠包围的部分第一晶片；

接合该第一晶片的该背面至第二晶片，形成一上盖晶片，以在该上盖晶片的一正面形成多个定义于这些预切割道间的腔体；

提供一元件晶片，该元件晶片的一表面设有多个元件以及多个连接垫；

接合该上盖晶片与该元件晶片，使这些腔体与该元件晶片形成多个气密腔，各自密封这些元件；

自该上盖晶片的一背面进行一上盖晶片切割工艺，沿着这些预切割道切割该上盖晶片，使得未与该元件晶片接合的部分该上盖晶片脱离，以暴露出该元件晶片的这些连接垫；

进行一晶片级测试；以及

进行一元件晶片切割工艺，形成多个独立封装的管芯。

9、如权利要求8所述的切割方法，其中该第二晶片包含一玻璃晶片或一石英晶片。

10、如权利要求8所述的切割方法，其中该预切割道的线宽小于70微米。

11、如权利要求8所述的切割方法，其中各该腔体与各该预切割道的线宽比小于10比1。

12、如权利要求8所述的切割方法，其中该表面定义工艺为一蚀刻工艺。

13、如权利要求12所述的切割方法，其中这些预切割道的线宽小于这些腔体边渠的线宽，由此于该蚀刻工艺后这些预切割道的深度小于这些腔体边渠的深度。

14、如权利要求8所述的切割方法，其中该上盖晶片切割工艺包含一蚀刻工艺。

15、如权利要求8所述的切割方法，其中该上盖晶片切割工艺包含利用一切割刀具进行该上盖晶片切割工艺。