[发明专利]通过部分刻蚀图案化抗反射涂层层的方法

权利要求书

1.一种图案化衬底上的薄膜的方法，包括：

在所述衬底上准备膜叠层，所述膜叠层包括形成在所述衬底上的所述薄膜、形成在所述薄膜上的抗反射涂层层以及形成在所述抗反射涂层层上的掩模层；

在所述掩模层中形成图案；

通过将所述图案转移到小于所述抗反射涂层层的厚度的某一深度，来将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层；

在将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层之后去除所述掩模层的剩余部分；

通过刻蚀所述抗反射涂层层完成所述图案到所述抗反射涂层层的转移；以及

将所述图案转移到所述薄膜，同时基本消耗光所述抗反射涂层层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述在所述掩模层中形成图案的步骤包括在光刻胶层中形成图案。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述在所述掩模层中形成图案的步骤包括：

利用光刻系统采用图像图案对所述光刻胶层成像；以及

对所述光刻胶层显影以在所述光刻胶层中形成所述图像图案。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层的步骤包括执行干法刻蚀、或湿法刻蚀或其组合中的至少一种。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层的步骤包括执行干法等离子体刻蚀、干法非等离子体刻蚀或其组合。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层的步骤包括执行各向异性干法刻蚀工艺、反应性离子刻蚀工艺、激光辅助刻蚀工艺、离子研磨工艺或印刷工艺或其中两者或更多者的组合。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述完成所述图案到所述抗反射涂层层的转移的步骤包括执行湿法刻蚀工艺、或干法刻蚀工艺或其组合。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述形成所述掩模层的步骤包括在所述抗反射涂层层上形成248nm光刻胶、193nm光刻胶、157nm光刻胶、或极紫外光刻胶或其中两者或更多者的组合。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述形成所述膜叠层的步骤还包括在所述薄膜上形成有机平坦化层并在所述有机平坦化层上形成所述抗反射涂层层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述形成所述有机平坦化层的步骤包括形成聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯树脂或其中两者或更多者的组合。

11.如权利要求9所述的方法，还包括：

在将所述抗反射涂层层中的所述图案转移到所述薄膜之前将所述图案转移到所述有机平坦化层。

12.如权利要求11所述的方法，其中将所述抗反射涂层层中的所述图案转移到所述有机平坦化层的步骤包括将所述图案刻蚀到所述有机平坦化层中。

13.如权利要求9所述的方法，还包括：

在将所述图案转移到所述薄膜之后去除所述有机平坦化层。

14.如权利要求9所述的方法，其中将所述抗反射涂层层中的所述图案转移到所述有机平坦化层的步骤基本消耗光所述抗反射涂层层。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述形成所述抗反射涂层层的步骤包括形成有机层、无机层或这两者。

16.一种包含用于在控制系统上执行的程序指令的计算机可读介质，所述程序指令当被所述控制系统执行时，使得图案化系统执行以下步骤：

在所述衬底上准备膜叠层，所述膜叠层包括形成在所述衬底上的薄膜、形成在所述薄膜上的抗反射涂层层以及形成在所述抗反射涂层层上的掩模层；

在所述掩模层中形成图案；

通过将所述图案转移到小于所述抗反射涂层层的厚度的某一深度来将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层；

在将所述图案部分转移到所述抗反射涂层层之后去除所述掩模层的剩余部分；

通过刻蚀所述抗反射涂层层完成所述图案到所述抗反射涂层层的所述转移；以及

将所述图案转移到所述薄膜，同时基本消耗光所述抗反射涂层层。