[发明专利]利用低介电层填充金属线间空隙的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括步骤：

在其上形成有导线的半导体基板上形成低介电常数层；

对所述低介电常数层进行初级紫外处理；

在进行了所述初级紫外处理的所述低介电常数层上形成盖层；和

对包括所述盖层的所述低介电常数层进行次级紫外处理；

其中所述次级紫外处理中使用的紫外线的波长比在所述初级紫外处理 工艺中使用的紫外线的波长短。

2.如权利要求1的方法，其中所述导线为栅极线、位线和金属线中的任 意一种。

3.如权利要求1的方法，其中，在形成所述低介电常数层的步骤之前， 所述方法还包括步骤：

在其上形成有导线的所述半导体基板上形成线性氧化物层。

4.如权利要求1的方法，其中，在进行形成所述低介电常数层的步骤之 后，所述方法还包括步骤：

烘烤所述低介电常数层。

5.如权利要求4的方法，其中所述烘烤步骤是在300～350℃的温度下进 行。

6.如权利要求4的方法，其中所述烘烤步骤进行5～60秒。

7.如权利要求1的方法，其中所述初级紫外处理是使用具有300～500nm 波长的紫外线进行。

8.如权利要求7的方法，其中所述初级紫外处理进行3～5分钟。

9.如权利要求1的方法，其中所述盖层由氧化物层制成。

10.如权利要求9的方法，其中所述氧化物层是通过等离子体增强化学 气相沉积在350～450℃的温度下形成。

11.如权利要求1的方法，其中所述次级紫外处理是使用具有 170～300nm波长的紫外线进行。

12.一种半导体器件的制造方法，包括步骤：

形成低介电常数层以填充形成在半导体基板上的导线之间的空隙；

进行初级除气工艺以去除包含在所述低介电常数层中的放气源；

进行次级除气工艺以去除在所述初级除气工艺之后残留的放气源，其中 所述次级除气工艺通过对所述低介电常数层的初级紫外处理进行；

在进行了所述初级和次级除气工艺的所述低介电常数层上形成盖层；和

增强所述低介电常数层和盖层之间的结合，其中增强所述低介电常数层 和盖层之间的结合的步骤是通过次级紫外处理进行；

其中所述次级紫外处理中使用的紫外线的波长比在所述初级紫外处理 工艺中使用的紫外线的波长短。

13.如权利要求12的方法，其中所述导线为栅极线、位线和金属线中的 任意一种。

14.如权利要求12的方法，其中进行所述初级除气工艺的步骤包括在 300～350℃的温度下烘烤所述低介电常数层。

15.如权利要求14的方法，其中所述烘烤进行5～60秒。

16.如权利要求12的方法，其中进行所述次级除气工艺以去除-CH基 放气源和孔原物。

17.如权利要求12的方法，其中所述初级紫外处理是使用具有 300～500nm波长的紫外线进行。

18.如权利要求12的方法，其中所述初级紫外处理进行3～5分钟。

19.如权利要求12的方法，其中所述盖层由氧化物层制成。

20.如权利要求19的方法，其中所述氧化物层是通过等离子体增强化学 气相沉积在350～450℃的温度下形成。

21.如权利要求12的方法，其中，通过进行所述次级紫外处理，所述低 介电常数层和盖层之间的界面中的杂质被去除，使得所述低介电常数层的- Si基和-O基与所述盖层的-Si基和-O基的相互结合得到提高。

22.如权利要求12的方法，其中所述次级紫外处理是使用具有 170～300nm波长的紫外线进行。