[发明专利]真空吸附装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种真空吸附半导体晶片、或玻璃基板等基板的装置。

背景技术

专利文献1、2公开的真空吸附装置例如作为下述两装置为公众所知，装置一：在削薄半导体晶片的磨削加工中，固定半导体晶片的装置；装置二：在半导体晶片、或玻璃基板的表面上涂敷涂敷液，并使之转动，利用离心力使涂敷液均匀扩散时，保持半导体晶片、或玻璃基板的装置。

发明内容

在专利文献1中公开了这样一种构成：作为吸附玻璃基板的吸附工作台，在该工作台的上表面外周部上形成有槽，在该槽内开口形成钻孔，而且同时将与真空源相连的配管连接于该钻孔。

专利文献2中公开了这样一种真空吸附装置：作为与工作台上开口形成的真空吸附孔相连的真空源，预备了真空泵和真空喷射泵，在电源正常的情况下使用真空泵，在不能使用电源的情况下使用喷射泵。

专利文献1：特开2003-145472号公报

专利文献2：特开2004-200440号公报

如专利文献1所述，由于在整周上形成有吸附槽的情况下，钻孔的开口面积扩大到槽的开口面积，因此吸附力降低。另外，如专利文献2所述，在将吸附孔直接开口形成在工作台上表面的情况下，吸附力虽然不会降低，但却有下述课题产生。

图3为以往的真空吸附装置的剖视图，在基板载置台100的厚度方向上贯通地形成有吸引孔101，该吸引孔101的上端开口形成在基板载置台100的上表面，吸引孔101的下端与配管102连接，且配管102与真空源相连，此外，在配管102的中途位置安装有压力传感器103。

这样，虽然在与真空源相连的配管102上安装压力传感器103是合理的，但有可能引起错误动作。即，即使配管内的距离压力传感器103较远处的压力没有降到规定压力，但配管内的距离压力传感器103近处的压力一旦达到规定值，就会判断为已被真空吸附。其结果，在一部分没有被吸附的状态下，例如在基板的一部分浮起的状态下，开始进行处理，就有可能发生喷嘴下端与基板发生冲突而破损的情形。

为了解决上述课题，本发明所涉及的真空吸附装置是：在基板载置台上形成有吸引孔，该吸引孔的一端开口形成在基板载置台的上表面，吸引孔的另一端连接于与真空源相连的配管，其特征在于，在上述吸引孔之外另外形成有真空检测孔，使该真空检测孔的一端开口形成在基板载置台的上表面，使真空检测孔的另一端与安装有压力传感器的检测用配管相连。

真空检测孔最好是，均等地配置在基板载置台的上表面，或者设置在有难以形成真空倾向的位置例如在配管上距离真空泵较远的位置。并且，为了正确地检测在各处是否被吸附，优选为，针对每一真空检测孔而独立地设置：安装有压力传感器的检测用配管。

根据本发明，可以正确地获知半导体晶片、或玻璃基板是否可靠地被真空吸附在载放工作台上表面。因此，例如，在使微缝喷嘴移动而进行涂敷时，基板的一部分处于浮起的状态下，不会发生喷嘴与基板相冲突的问题。

附图说明

图1为本发明所涉及的真空吸附装置的剖视图。

图2为同一吸附装置的平面图。

图3为指出以往的吸附装置的问题点的剖视图。

附图符号

1，2，3，4，1a,2a,3a，4a...吸引用配管；5...基板载置台；6...吸引孔；7...接头；8...真空检测孔；9...接头；10...检测用配管；11...压力传感器；20...水平度调整机构；21...基座；22...滚珠丝杠机构；23...楔部件；24...脚部；W...基板；

具体实施方式

下面，结合附图，对本发明的实施方式进行说明。图1为本发明所涉及的真空吸附装置的剖视图，图2为同一吸附装置的平面图。

图中1、2、3、4为在俯视时呈环状配置的吸引用配管，这些吸引用配管1、2、3、4经独立的配管1a、2a、3a、4a而与真空源相连。

上述吸引用配管1、2、3、4配置在基板载置台5的下面侧，吸引孔6在厚度方向上贯通地形成在基板载置台5中，吸引孔6的上端开口形成在基板载置台5的上表面，下端经接头7而与上述吸引用配管1、2、3、4的任何一个相连。

这样，吸引用配管1、2、3、4在被配置成环状的同时，各自独立并与真空源相连，因此对照基板W的尺寸而可以分成使用的吸引用配管、与不使用的吸引用配管，故而可以抑制无用的电力消费。