[发明专利]用于形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在包括高压和低压阱的半导体衬底表面上方沉积第一氧化层，该第一氧化层具有预定厚度并且对应于阱的高压区域；

在该第一氧化层表面上方形成第一光刻胶图案，使用该第一光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，以便选择性蚀刻该第一氧化层直到部分地暴露该半导体衬底，以形成第一氧化层图案；

使用第一光刻胶图案作为掩模在包括该第一氧化层图案的该半导体衬底的表面上方沉积第二氧化层，该第二氧化层具有预定厚度并对应于阱的低压区域；

去除所述第一光刻胶图案，在包括该第一氧化层图案和该第二氧化层的该半导体衬底上方涂覆多晶硅层；

在该多晶硅层表面上方形成第二光刻胶图案，使用该第二光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，以便选择性蚀刻多晶硅层直到部分地暴露该第一氧化层图案和该第二氧化层；和

去除该第二光刻胶图案，使用该多晶硅层、该第一氧化层图案和该第二氧化层作为硬掩模执行杂质离子注入工序，以在半导体衬底中形成漂移区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对应于高压的厚度为大约100～200。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对应于低压的厚度为大约300～400。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该杂质注入工序中，注入N-杂质离子或P-杂质离子。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过该杂质离子注入工序，该漂移区域由N-漂移区域或P-漂移区域形成。

6.一种设备，配置为：

在具有高压和低压阱的半导体衬底表面上方沉积第一氧化层，该第一氧化层具有预定厚度并且对应于阱的高压区域；

在该第一氧化层表面上方形成第一光刻胶图案，使用该第一光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，以便选择性蚀刻该第一氧化层直到部分地暴露该半导体衬底，以形成第一氧化层图案；

使用第一光刻胶图案作为掩模在包括该第一氧化层图案的该半导体衬底的表面上方沉积第二氧化层，该第二氧化层具有预定厚度并且对应于阱的低压区域；

去除所述第一光刻胶图案，在包括该第一氧化层图案和该第二氧化层的该半导体衬底上方涂覆多晶硅层；

在该多晶硅层表面上方形成第二光刻胶图案，使用该第二光刻胶图案作为掩模执行蚀刻工序，以便选择性蚀刻多晶硅层直到部分地暴露该第一氧化层图案和该第二氧化层；和

去除该第二光刻胶图案，使用该多晶硅层、该第一氧化层图案和该第二氧化层作为硬掩模执行杂质离子注入工序，以在半导体衬底中形成漂移区域。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，对应于高压的厚度可为大约100～200。

8.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，对应于低压的厚度可为大约300～400。

9.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，在该杂质注入工序中，注入N-杂质离子或P-杂质离子。

10.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，通过该杂质离子注入工序，该漂移区域由N-漂移区域或P-漂移区域形成。