[发明专利]图像感应元件

权利要求书

1. 一种图像感应元件，包括：

半导体基底，其具有正面与背面；

多个像素形成于该半导体基底的正面上；以及

多个栅格阵列，且该多个栅格阵列与该多个像素中的一个像素对齐；

其中该多个栅格阵列中的一个允许光线的一个波长穿过至该多个像素中相对应的一个。

2. 如权利要求1所述的图像感应元件，其中光线的该波长选自由下列所组成的群组：红光、绿光与蓝光。

3. 如权利要求2所述的图像感应元件，其中该栅格阵列包括至少一个开口，且其中该开口的宽度实质上等于该光线的波长的一半。

4. 如权利要求3所述的图像感应元件，其中该栅格阵列于该半导体基底的正面上。

5. 如权利要求3所述的图像感应元件，其中该栅格阵列于该半导体基底的背面上。

6. 如权利要求1所述的图像感应元件，其中该栅格阵列的厚度为

7. 如权利要求1所述的图像感应元件，其中该栅格阵列由一种材料所形成，该材料选自由下列所组成的群组：多晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅与上述的组合。

8. 如权利要求1所述的图像感应元件，其中该栅格阵列由金属、金属氮化物或金属合金所形成。

9. 如权利要求1所述的图像感应元件，其中该像素选自由下列所组成的群组：光二极管、PIN光二极管、光晶体管、光栅、重置晶体管、源极跟随器晶体管、转换栅极晶体管、选择晶体管与上述的组合。

10. 如权利要求1所述的图像感应元件，还包括抗反射层于该多个栅格阵列上，其中该抗反射层包括氧化硅层与氮氧化硅层。

11. 如权利要求1所述的图像感应元件，还包括：

金属层位于该多个像素上；

层间介电层，其用以分隔或隔离位于其中的金属层；以及

微透镜于该多个栅格阵列上。

12. 一种图像感应元件，包括：

半导体基底；

第一、第二与第三像素形成于该半导体基底上；

第一、第二与第三栅格分别与该第一、第二与第三像素对齐；

其中该第一栅格包括至少一个第一开口以允许光线的第一波长抵达该第一像素，该第二栅格包括至少一个第二开口以允许光线的第二波长抵达该第二像素，且该第三栅格包括至少一个第三开口以允许光线的第三波长抵达该第三像素。