[发明专利]相变材料层及其形成方法、相变存储装置及其形成方法

权利要求书

1.一种形成相变材料层的方法，包括：

在反应室中产生包括不活泼气体的等离子体；

将包括第一材料的第一源气体引入到反应室中，以在目标物上形成第一材料层；

将包括第二材料的第二源气体引入到反应室中，以在目标物上形成第一复合材料层，所述第一复合材料层包括第一材料和第二材料；

将包括第三材料的第三源气体引入到反应室中，以在第一复合材料层上形成第三材料层；

将包括第四材料的第四源气体引入到反应室中，以在第一复合材料层上形成第二复合材料层，所述第二复合材料层包括第三材料和第四材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中，产生等离子体的步骤包括：

将不活泼气体引入到反应室中；

对不活泼气体进行预热；

使不活泼气体稳定；

将不活泼气体加热到等离子体状态。

3.如权利要求1所述的方法，其中，不活泼气体包括氩气和氦气。

4.如权利要求3所述的方法，其中，

预热包括对氩气和氦气进行加热持续约30秒至约90秒；

稳定包括使氩气和氦气保持恒定温度持续约1秒至约4秒；

加热包括对氩气和氦气施加约20瓦特至约200瓦特的功率持续约5秒至约15秒。

5.如权利要求3所述的方法，其中，氦气和氩气之间的流量比率在约1∶0.06至约1∶1.5的范围内。

6.如权利要求1所述的方法，其中，第一材料包括锗，并且其中，第三材料包括锑。

7.如权利要求6所述的方法，其中，第一材料包括Ge(异丙基)₃H、GeCl₄、Ge(甲基)₄、Ge(甲基)₄N₃、Ge(乙基)₄、Ge(甲基)₃N(乙基)₂、Ge(异丁基)₃H，Ge(正丁基)₄、Sb(Ge乙基₃)₃和Ge(环丙基)₂中的至少一种。

8.如权利要求6所述的方法，其中，第三材料包括Sb(异丁基)₃、SbCl₃、SbCl₅、Sb(甲基)₃、Sb(乙基)₃、Sb(正丙基)₃、Sb(叔丁基)₃、Sb[N(甲基)₂]₃和Sb(环丙基)₃中的至少一种。

9.如权利要求1所述的方法，其中，第一源气体在约100℃至约300℃的温度下被引入持续约0.1秒至约2秒，并且其中，引入第一源气体包括在约1托至约5托的压力下施加约20瓦特至约200瓦特的功率，以形成第一材料层。

10.如权利要求1所述的方法，其中，第一源气体、第二源气体、第三源气体和第四源气体分别与第一运载气体、第二运载气体、第三运载气体和第四运载气体一起被引入，第一运载气体、第二运载气体、第三运载气体和第四运载气体包括氩。

11.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在引入第二源气体之前，将第一净化气体引入到反应室中，第一净化气体包括氩和氦中的至少一种。

12.如权利要求1所述的方法，其中，第二材料和第四材料包括碲。

13.如权利要求12所述的方法，其中，第二材料和第四材料包括Te(异丁基)₂、TeCl₄，、Te(甲基)₂、Te(乙基)₂、Te(正丙基)₂、Te(异丙基)₂和Te(叔丁基)₂中的至少一种。

14.如权利要求1所述的方法，其中，第二源气体和第四源气体在约100℃至约300℃的温度下被引入持续约0.1秒至约1秒，并且其中，引入第二源气体和第四源气体包括在约1托至约5托的压力下施加约20瓦特至约200瓦特的功率。