[发明专利]用于在半导体器件中形成精细图案的方法

权利要求书

1.一种用于在半导体器件中形成精细图案的方法，所述方法包括：

提供半导体基板；

在所述半导体基板之上形成目标层，并且在所述目标层之上形成硬掩模层；

在所述硬掩模层之上形成第一氧化膜图案，并且在所述第一氧化膜图案之上形成氮化膜图案，由此选择性地露出所述硬掩模层的一部分；

在所述硬掩模层的露出部分、所述第一氧化膜图案以及所述氮化膜图案之上形成具有第一厚度的第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层之上形成具有第二厚度的第二氧化膜；

在所述第二氧化膜之上形成具有第三厚度的第二多晶硅层；

平坦化所述第二多晶硅层、所述第二氧化膜以及所述第一多晶硅层，直到所述氮化膜图案露出为止；

移除所述氮化膜图案以露出所述第一氧化膜图案；

根据在氧化物材料与多晶硅材料之间的蚀刻选择性来蚀刻所述第一氧化膜图案及所述第二氧化膜；

利用所述第一多晶硅层以及所述第二多晶硅层的顶部作为蚀刻掩模来蚀刻所述硬掩模层，以形成硬掩模层图案；以及

利用所述硬掩模层图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述目标层，以形成所述精细图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述目标层包括氧化膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述目标层在大约100℃至600℃范围内的温度下形成，且具有在大约100nm至1,000nm范围内的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述硬掩模层包括非晶碳层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述硬掩模层具有在大约100nm至500nm范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一氧化膜图案包括硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)氧化膜，并且所述第二氧化膜包括BPSG氧化膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一氧化膜图案具有在大约100nm至1,000nm范围内的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一氧化膜图案的线宽与相邻的第一氧化膜图案之间限定的间隔的宽度的比例是大约1∶5。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一厚度与所述第二厚度基本上相同，所述第一厚度以及所述第二厚度都是在大约30nm至50nm范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第三厚度是在从所述第二氧化膜的顶面起测量的大约100nm至500nm范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述蚀刻选择性包括所述氧化物材料的蚀刻速度比所述多晶硅材料的蚀刻速度快二十倍。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述精细图案的线宽与蚀刻所述目标层所获得的间隔的宽度之间的比例大约是1∶1。