[发明专利]偏压供应器、启动电路以及偏压电路的启动方法无效

专利信息
申请号: 200710127582.X 申请日: 2007-07-03
公开(公告)号: CN101339445A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 陈力辅;李智顺 申请(专利权)人: 硕颉科技股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 偏压 供应 启动 电路 以及 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种偏压供应器,且特别是有关于一种偏压供应器的启动技术。

背景技术

在模拟电路中,常常会利用电流镜(CurrentMirror)作为偏压电路。这类偏压电路需要启动电路,用来使偏压电路能正常工作。

图1绘示为已知偏压供应器(Bias Supply)的电路图。请参照图1,偏压供应器10可分为两部分,分别为偏压电路20以及启动(Start-up)电路30。偏压电路20包括电流镜40、41与电阻130。电流镜40由N型金属氧化半导体晶体管110与111所构成,晶体管110的漏极与栅极互相耦接,且晶体管110与111的尺寸比(或可称作沟道的长宽比)不相同。电阻130用以提供一压差,以使电流镜40能够产生电流。电流镜41则由P型金属氧化半导体晶体管120、121所构成,晶体管121的漏极与栅极互相耦接。启动电路30则由P型金属氧化半导体晶体管130、N型金属氧化半导体晶体管131、132与133所组成。晶体管130、131、132、133分别各自等效为二极管。

偏压电路20具有两个稳定点状态,分别为零稳定(Zero Stable)状态与饱和稳定状态。当提供电压Vdd给偏压电路20的初期,偏压电路20会处于零稳定状态,接点B会维持在相对低电位的电压,接点C则维持在相对高电位的电压。直到接点B接收到相对高电位的启动电压或接点C接收到相对低电位的电压时,偏压电路20才会从零稳定状态转成饱和稳定状态,并提供稳定偏压给其它电路使用。

为了提供启动电压给偏压电路20。启动电路30利用晶体管130、131与132提供偏压VB给接点A,使晶体管133导通,进而将相对高电位的启动电压提供给接点B。当偏压电路20转为饱和稳定状态时,接点B的偏压会高于接点A,使等效为二极管的晶体管133截止,避免偏压电路20受到启动电路30干扰。值得注意的是,启动电路30的晶体管130、131与132为常时导通。换言之,即便偏压电路20已经被启动,晶体管130、131与132仍维持在导通状态,因此启动电路30的耗电量会非常大。

图2绘示为已知另一偏压供应器的电路图。请参照图2,偏压供应器11分为两部分,分别为偏压电路20以及启动电路31。偏压电路20可参照上述的说明。值得注意的是,启动电路31由反相器(Inverter)50与N型金属氧化半导体晶体管212所组成。N型金属氧化半导体晶体管212可视为一个开关。反相器50由P型金属氧化半导体晶体管210与N型金属氧化半导体晶体管211所构成。

当偏压电路20处于零稳定状态时,接点B会维持在相对低电位的电压。启动电路31利用回授技术将接点B的偏压输入至反相器50,因此反相器50则输出相对高电位的电压至接点A,使晶体管212导通。当晶体管212导通时,接点C的电压则会被拉至相对低电位的电压,使偏压电路20从零稳定状态转为饱和稳定状态。

根据上述,当偏压电路20为饱和稳定状态时,接点B会维持在相对高电位的电压。启动电路31则利用反相器50使接点A的电压维持在相对低电位的电压,进而使晶体管212为截止状态。如此一来,偏压电路20则不会受到启动电路31干扰。值得一提的是,当偏压电路20为饱和稳定状态时,接点B的相对高电位的电压大约在4~8V。假设电压Vdd超出接点B的电压许多,例如电压Vdd为20V,反相器50则无法使晶体管212截止。因此,启动电路31不但会有大量漏电流的问题,偏压电路20亦会受到启动电路31的干扰而无法正常工作。换言之,已知技术所揭露的启动电路31只能在电压Vdd不高的情况下使用。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种偏压供应器,以确保偏压电路能被唤醒并正常运作。

本发明的另一目的在于,提供一种启动电路,以改善漏电流的情形。

本发明的又一目的在于,提供一种偏压电路的启动方法,依据电容的充放电特性,决定是否提供启动电压给偏压电路,以减少功率消耗。

本发明提出一种偏压供应器,包括偏压电路、阻抗单元、储能单元与开关。偏压电路耦接于第一电压与第二电压之间。阻抗单元耦接于第一电压与接点之间。储能单元耦接于接点与第二电压之间。开关依据接点的电压决定是否输出启动电压给偏压电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硕颉科技股份有限公司,未经硕颉科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710127582.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top