[发明专利]偏压供应器、启动电路以及偏压电路的启动方法无效
申请号: | 200710127582.X | 申请日: | 2007-07-03 |
公开(公告)号: | CN101339445A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 陈力辅;李智顺 | 申请(专利权)人: | 硕颉科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏压 供应 启动 电路 以及 方法 | ||
1.一种偏压供应器,其特征在于,包括:
一偏压电路,耦接于一第一电压与一第二电压之间;
一启动电路,包括:
一阻抗单元,耦接于该第一电压与一接点之间;
一储能单元,耦接于该接点与该第二电压之间;以及
一开关,依据该接点的电压决定是否输出一启动电压给该偏压电路。
2.如权利要求1所述的偏压供应器,其特征在于,其中该偏压电路包括:
一第一电流镜,耦接该第一电压,包括:
一第一晶体管,其第一端耦接该第一电压,该第一晶体管的第二端与栅极端互相耦接;以及
一第二晶体管,其第一端与栅极端分别耦接该第一晶体管的第一端与栅极端;
一第二电流镜,耦接于该第一电流镜与该第二电压之间,包括:
一第三晶体管,其第一端与第二端分别耦接该第一晶体管的第二端与该第二电压;以及
一第四晶体管,其第一端与栅极端耦接该第二晶体管的第二端,该第四晶体管的第二端耦接该第二电压,其中该第三晶体管与该第四晶体管的尺寸比不相同,
其中该偏压电路用以提供一稳定偏压。
3.一种启动电路,用以启动一偏压电路,其特征在于,该启动电路包括:
一阻抗单元,其第一端与第二端分别耦接一第一电压与一接点;
一储能单元,其第一端与第二端分别耦接该接点与一第二电压;以及
一开关,依据该接点的电压决定是否提供一启动电压给该偏压电路。
4.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于,还包括:
一缓冲器,耦接于该接点与该开关之间,用以将该接点的电压提供给该开关。
5.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于,其中还包括:
一反相器,耦接于该接点与该开关之间,用以提供反相于该接点的电位给该开关。
6.如权利要求5所述的启动电路,其特征在于,其中该反相器包括:
一第一晶体管,其第一端、第二端与栅极端分别耦接该第一电压、该开关与该接点;以及
一第二晶体管,其第一端、第二端与栅极端分别耦接该开关、该第二电压与该接点。
7.如权利要求6所述的启动电路,其特征在于,其中该第一晶体管为P型金属氧化半导体晶体管,该第二晶体管为N型金属氧化半导体晶体管。
8.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于,其中该启动电路包括:
一第一电流镜,耦接该第一电压,包括:
一第一晶体管,其第一端耦接该第一电压,该第一晶体管的第二端与栅极端互相耦接;以及
一第二晶体管,其第一端与栅极端分别耦接该第一晶体管的第一端与栅极端;
一第二电流镜,耦接于该第一电流镜与该第二电压之间,包括:
一第三晶体管,其第一端与第二端分别耦接该第一晶体管的第二端与该第二电压;以及
一第四晶体管,其第一端与栅极端耦接该第二晶体管的第二端,该第四晶体管的第二端耦接该第二电压,其中该第三晶体管与该第四晶体管的尺寸比不相同,
其中该偏压电路用以提供一稳定偏压。
9.如权利要求8所述的启动电路,其特征在于,其中该第一、第二晶体管为P型金属氧化半导体晶体管,该第三、第四晶体管为N型金属氧化半导体晶体管。
10.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于,其中该阻抗单元包括:
一电阻,耦接于该第一电压与该接点之间。
11.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于,其中该储能单元包括:
一电容,耦接于该接点与该第二电压之间,当该电容于充电状态时,输出该启动电压给该偏压电路,当该电容于饱和状态时,则停止输出该启动电压给该偏压电路。
12.如权利要求3所述的启动电路,其特征在于,其中该储能单元包括:
一第一晶体管,其第一端与第二端耦接该第二电压,该第一晶体管的栅极端耦接于该接点。
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