[发明专利]半透射液晶显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半透射型液晶显示器件，包括：

第一基板和第二基板，相互间隔设置；

黑矩阵，形成在所述第二基板上，且各黑矩阵之间具有预定间隙；

滤色片，形成在所述黑矩阵之间；

公共电极，形成在所述滤色片上；

涂覆层，形成在所述公共电极上并具有凹形；以及

液晶层，形成在所述第一基板和第二基板之间。

2.根据权利要求1所述的半透射型液晶显示器件，其特征在于，所述第一基板包括：

栅极，形成在所述第一基板上；

栅绝缘层，形成在所述栅极上；

有源层，形成在所述栅极和所述栅绝缘层上；

源极和漏极，形成在所述有源层上；

第一钝化层，形成在所述源极和漏极上；

反射器，形成在所述第一钝化层上，并具有凸/凹形状；

第二钝化层，形成在所述反射器上；以及

像素电极，形成在所述第二钝化层上。

3.根据权利要求1所述的半透射型液晶显示器件，其特征在于，一个也起衬垫料作用的R、G和B的黑矩阵设置成高于另一个黑矩阵。

4.根据权利要求1所述的半透射型液晶显示器件，其特征在于，所述凹形形成在涂覆层上并且与邻近反射器的透射部一致。

5.根据权利要求1所述的半透射型液晶显示器件，其特征在于，所述涂覆层在第一涂覆层和第二涂覆层之间具有叠层结构。

6.根据权利要求5所述的半透射型液晶显示器件，其特征在于，所述凹形形成在所述第一涂覆层上，其中所述第一涂覆层形成在所述公共电极上。

7.根据权利要求5所述的半透射型液晶显示器件，其特征在于，所述第一涂覆层由紫外线硬化型丙烯酸树脂形成。

8.根据权利要求5所述的半透射型液晶显示器件，其特征在于，所述第二涂覆层与所述第一涂覆层由具有不同的折射率的同基树脂形成。

9.根据权利要求5所述的半透射型液晶显示器件，其特征在于，所述第一涂覆层由具有比第二涂覆层的折射率更大的同基材料形成。

10.一种制造半透射型液晶显示器件的方法，包括：

制备相互间隔开的第一基板和第二基板；

在第二基板上形成黑矩阵，该黑矩阵之间间隔预定间隙；

在黑矩阵之间形成滤色片；

在包括滤色片和黑矩阵的第二基板上形成公共电极；

在位于第二基板上的公共电极上形成具有凹形的涂覆层；以及

在所述第一基板和第二基板之间形成液晶层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述制备第一基板的步骤包括：

在所述第一基板上形成栅极；

在所述栅极上形成栅绝缘层；

在所述栅极和栅绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成源极和漏极；

在所述源极和漏极上形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上形成具有凸/凹形状的反射器；

在所述反射器上形成第二钝化层；以及

在所述第二钝化层上形成像素电极。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述形成黑矩阵的步骤中，一个也起衬垫料作用的R、G和B的黑矩阵被设置成高于另一个黑矩阵。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述涂覆层在第一涂覆层和第二涂覆层之间具有叠层结构。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述凹形形成在所述第一涂覆层上。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在第二基板上形成具有凹形的第一涂覆层的步骤包括：

在形成在所述第二基板上的公共电极上沉积光刻胶；

利用掩模曝光光刻胶；以及

根据曝光度显影和蚀刻所述光刻胶。

16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述凹形形成在所述涂覆层上并且与邻近反射器的透射部一致。