[发明专利]液晶显示器阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器阵列基板及其制造方法，尤其涉及一种薄膜液晶管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，以下简称TFT LCD)阵列基板的结构及制造该阵列基板的方法。

背景技术

TFT LCD因其体积小、功耗低和无辐射等特点，在当前平板显示器市场占据了主导地位。TFT LCD器件的基本结构是阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒而形成的。

如图1所示TFT LCD器件在阵列基板上的单一像素的俯视图，是现有技术中TFT LCD器件普遍采用的设计方法。图2和图3分别为图1中A-A向和B-B向的截面图，图2显示了信号线部分的结构，图3显示了TFT器件部分的结构。现有技术的阵列基板主要包括：基板，在基板上形成的多条栅电极扫描线，与栅电极扫描线垂直的多条信号线，相邻的栅电极扫描线和信号线交叉定义了像素区域，如图1所示为一个像素区域的俯视图。一个像素区域包含有栅电极扫描线2、TFT开关器件、透明的像素电极7，即铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxides，以下称ITO)电极、信号线6和公共(common)电极引线8。TFT开关器件主要由栅电极13、有源层14、覆盖在有源层14上的欧姆接触层18、欧姆接触层18之上的源电极16和漏电极15组成。在阵列基板上，还包括栅电极绝缘层3，覆盖在栅电极13上。信号线6形成在有源层14上，在信号线6、源电极16和漏电极15上还覆盖有钝化层5，钝化层5在漏电极15上方设有钝化层过孔17，透明的像素电极7通过钝化层过孔17与漏电极15连接。

上述TFT LCD阵列基板的等效电路如图4所示，电容C_pd是透明像素电极7和信号线6之间的电容，C_lc是透明像素电极7和公共电极夹着的液晶层的电容，C_st是像素的存储电容。在透明像素电极7充电完毕后，根据电荷守恒原理，可以得到下式：

(C_LC+C_St)(U_P-U_common)+C_pd(U_p-U_d)＝(C_LC+C_St)(U′_P-U_common)+C_pd(U′_P-U′_d)

经公式变换可得：