[发明专利]液晶显示器阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示器阵列基板，包括：

基板；

形成在所述基板上的栅电极扫描线、栅电极和公共电极引线；

覆盖在所述栅电极扫描线、栅电极和公共电极引线上的栅电极绝缘层；

形成在所述栅电极绝缘层上的有源层，以及有源层上的欧姆接触层；

形成在欧姆接触层上的漏电极、源电极和信号线；

覆盖在所述有源层、漏电极、源电极和信号线上的钝化层；

形成在所述钝化层上的像素电极，

其特征在于：

在所述信号线下方的栅电极绝缘层下还设有导电的屏蔽层底部，所述屏蔽层底部与公共电极引线相连，且所述屏蔽层底部与栅电极扫描线采用相同材料同时形成；在所述信号线上方的所述钝化层上还设有导电的屏蔽层上部，且所述屏蔽层上部与像素电极采用相同材料同时形成；在所述信号线两侧的钝化层和栅电极绝缘层上设有过孔，所述屏蔽层上部通过所述过孔与所述屏蔽层底部相连。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于：所述过孔为长条状。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于：所述屏蔽层底部的厚度范围为到

4.根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于：所述屏蔽层上部的厚度范围是到

5.一种液晶显示器阵列基板的制造方法，包括如下步骤：

步骤1、在阵列基板上沉积金属薄膜，采用掩模版通过曝光工艺和化学腐蚀工艺形成栅电极扫描线、栅电极、公共电极引线和屏蔽层底部；

步骤2、在完成步骤1的阵列基板上连续沉积绝缘层和非晶硅薄膜，而后沉积欧姆接触层，通过曝光工艺和干法刻蚀工艺在欧姆接触层和非晶硅薄膜上刻蚀形成有源层；

步骤3、在完成步骤2的阵列基板上沉积金属薄膜，采用掩模版通过曝光工艺和化学腐蚀工艺形成信号线、源电极和漏电极，再使用干法刻蚀工艺刻蚀掉暴露的欧姆接触层；

步骤4、在完成步骤3的阵列基板上沉积钝化层，采用掩模版通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在所述屏蔽层底部之上、数据扫描线两侧的钝化层和栅电极绝缘层上形成过孔；

步骤5、在完成步骤4的阵列基板上沉积透明导电材料，通过掩模板刻蚀形成像素电极和屏蔽层上部，所述屏蔽层上部通过所述过孔与屏蔽层底部连接。

6.根据权利要求5所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤5具体包括：沉积像素电极层透明导电材料，采用掩模板刻蚀形成像素电极；沉积导电材料，采用掩模板刻蚀形成屏蔽层上部，所述屏蔽层上部通过所述过孔与屏蔽层底部连接。

7.根据权利要求5所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：所述步骤1和/或3中沉积的金属膜的材料为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬和铜的其中之一或其任一组合。

8.根据权利要求5或6所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤5中沉积的透明导电材料的厚度为到