[发明专利]硅基单电子神经元量子电路

权利要求书

1.一种硅基单电子神经元量子电路，其特征在于，该电路包括：

一单电子突触电路单元，该单电子突触电路单元由围栅型硅基单电子器件并联构成，连接到求和节点上，对并行输入的信号进行加权求和；

一单电子阈值门限电路单元，该单电子阈值门限电路单元由两个侧栅型硅基单电子器件串联构成，输入端与单电子突触电路单元的求和节点相联，该求和节点电压触发阈值门限电路单元，实现限幅函数输出；

一反馈电路单元，该反馈电路单元包含并联的一电容和一耗尽型MOS晶体管，单电子阈值门限电路单元的输出端与反馈电路单元的晶体管栅极相连接，并且与单电子突触电路单元的控制栅极相连接，调节存储的权值以及求和节点电压。

2.根据权利要求1所述的硅基单电子神经元量子电路，其特征在于，其中所述的单电子突触电路单元由并行的围栅型硅基单电子器件连接而成，输入信号由围栅型硅基单电子器件的源极输入，漏极输出，合并电流汇聚到求和节点上，积累存储电荷。

3.根据权利要求1所述的硅基单电子神经元量子电路，其特征在于，其中所述的单电子阈值门限电路单元由两个侧栅型硅基单电子器件串联组成反相器结构，该两个侧栅型硅基单电子器件的栅极都连接在单电子突触电路单元的求和节点上。

4.根据权利要求1所述的硅基单电子神经元量子电路，其特征在于，其中所述的反馈电路单元将输出电压反馈作用于突触电路单元中围栅型单电子器件的小库仑岛栅电容进行权值调整，并触发反馈电路单元中的耗尽型MOS晶体管导通，使求和节点电容放电。