[发明专利]光学耦合元件及电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有延长的沿面漏电路径(creeping distance)的光学耦合元件，还涉及其中使用该光学耦合元件的电子装置。

背景技术

近年来，由于电子装置已经变得更小，因此需要使得电子部件更小或更薄，且由于此，小或薄的光学耦合元件已经投放市场。

图8A是常规光学耦合元件的侧视图，图8B是其平面图。这些图没有显示形成在封装(也称为不透明密封部分)922中并从光学耦合元件901的中心面922c延伸到封装的顶面922t或底面922b的斜坡。

光学耦合元件901由光发射元件和光接收元件、以透明树脂密封这些元件的透明密封部分(未示出)、覆盖该透明密封部分的不透明密封部分922、连接到光发射元件的一对端子931(初级端子931f)和连接到光接收元件的一对端子931(次级端子931s)组成。通过形成切割平面在不透明密封部分922的顶面922t中形成台阶922m，使得初级端子931f能够与次级端子931s相区别。

端子931从不透明密封部分922的侧面922hs引出，并在离侧面922hs约0.86mm的距离处沿底面922b的方向弯曲。即，初级端子931f(或次级端子931s)与侧面922hs之间的距离d设为小于1mm，这缩小了初级端子931f与次级端子931s之间的间隙，因此减小了光学耦合元件901的尺寸并减小了衬底上的安装表面面积。

而且，出于安全考虑，使例如光学耦合元件901的电子元件符合与它们的沿面漏电路径CD相关的安全规则。沿面漏电路径CD定义为，当沿绝缘体的表面测量时中间夹置有绝缘体的两个导电部分之间的最短距离。换言之，对于光学耦合元件901，当沿着不透明密封部分922的表面测量时，初级端子931f与次级端子931s之间的最短距离被定义为沿面漏电路径CD。

特别是对于小的光学耦合元件901，已经创立了测量沿面漏电路径的特定方法，因为初级端子931f(或次级端子931s)与侧面922hs之间的距离d非常短。更具体地，对于其中初级端子931f(或次级端子931s)与侧面922hs之间的距离d小于1mm的光学耦合元件901，直接测量的初级端子931f与次级端子931s之间的距离被定义为沿面漏电路径CD。即，对于例如这样的光学耦合元件901，沿面漏电路径CD与空间距离(端子之间的距离)相同。对于图8A和8B所示的光学耦合元件901，沿面漏电路径CD表达为如下公式(1)。

沿面漏电路径CD＝P1P2+P2P3+P3P4…(1)

因此，对于小的光学耦合元件901，需要确保安全规则中规定的沿面漏电路径CD，或者需要确保沿面漏电路径CD保证满意的安全水平，但由于初级端子931f(或次级端子931s)与侧面922hs之间非常短的距离d，难以确保适当的沿面漏电路径CD。

考虑到此，在JP H10-84128A(此后称为专利文献1)中提出了一种光学耦合元件，其中通过扩大不透明密封部分的下部或者通过至少将不透明密封部分的底面形成为具有褶皱形状来延长沿面漏电路径CD。

然而，虽然专利文献1中公开的技术允许沿面漏电路径延长，但其具有如下问题。当扩大不透明部分的下部时，不能实现元件的尺寸减小。当不扩大不透明密封部分的下部而是把不透明密封部分的底面形成为具有褶皱形状从而实现尺寸减小时，透明密封部分的体积减小了，这影响了光发射元件和光接收元件的布局。

发明内容

考虑到上述情况而构思了本发明，且本发明的目的是提供一种紧凑且具有延长的沿面漏电路径的光学耦合元件，以及一种使用该光学耦合元件的电子装置。

根据本发明的光学耦合元件是这样的光学耦合元件，其包括光发射元件和光接收元件、用于密封这些元件的透明密封部分、覆盖透明密封部分的不透明密封部分、和端子，这些端子单独地连接到光发射元件和光接收元件的电极并从不透明密封部分的侧面引出，沿面漏电路径是这些端子和它们的相对侧面之间的间隙距离以及侧面的底部边缘之间的距离之和，其中用于延伸沿面漏电路径的沿面漏电路径延伸面设置在不透明密封部分的底面和侧面之间，且端子与由底面和该沿面漏电路径延伸面形成的边缘之间的间隙距离设为特定距离。

通过此构造，由于沿面漏电路径延伸面设置到不透明密封部分，从而可以延长沿面漏电路径。因此，可以改善端子之间的绝缘。

而且，对于根据本发明的光学耦合元件，该特定距离可以大于1mm。

通过此构造，由于端子与侧面分开大于1mm的距离，所以可以更可靠地延长沿面漏电路径。