[发明专利]有机光检测器及其制造方法与有机薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种有机光检测器，包括：

一基板；

一第一电极，配置于该基板上；

一绝缘层，配置于该第一电极上；

一有机层，配置于该基板及该绝缘层上并覆盖该绝缘层及该第一电极的侧面；以及

一第二电极，配置于该有机层上，且位于该绝缘层上方。

2.如权利要求1所述的有机光检测器，其特征在于，该第一电极为阳极，而该第二电极为阴极。

3.如权利要求1所述的有机光检测器，其特征在于，该第一电极为阴极，而该第二电极为阳极。

4.如权利要求1所述的有机光检测器，其特征在于，该第二电极为透明电极。

5.如权利要求4所述的有机光检测器，其特征在于，该第二电极的材质包括铟锡氧化物。

6.如权利要求4所述的有机光检测器，其特征在于，该第二电极为金属电极，且该第二电极的厚度小于100纳米。

7.如权利要求1所述的有机光检测器，其特征在于，该第二电极为金属电极。

8.如权利要求1所述的有机光检测器，其特征在于，该第一电极为金属电极。

9.如权利要求1所述的有机光检测器，其特征在于，该有机层的材质包括并五苯。

10.如权利要求1所述的有机光检测器，其特征在于，该绝缘层的材质包括氧化硅或氮化硅或二氧化硅。

11.一种有机光检测器与有机薄膜晶体管的制造方法，包括：

在一基板上形成一第一电极与一栅极，该栅极位于该第一电极旁；

在该第一电极上形成一第一绝缘层，并在该栅极上形成一第二绝缘层，其中该第二绝缘层还覆盖该栅极的侧面；

在该基板及该第一绝缘层上形成一第一有机层，并在该第二绝缘层上形成一第二有机层，其中该第一有机层更覆盖该第一绝缘层及该第一电极的侧面；以及

在该第一有机层上形成一第二电极，并在该第二有机层上形成一源极/漏极，其中该第二电极是位于该第一绝缘层上方。

12.如权利要求11所述的有机光检测器与有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一电极为阳极，而该第二电极为阴极。

13.如权利要求11所述的有机光检测器与有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第二电极为透明电极。

14.如权利要求13所述的有机光检测器与有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第二电极为金属电极，且该第二电极的厚度小于100纳米。

15.如权利要求11所述的有机光检测器与有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第二电极为金属电极。

16.如权利要求11所述的有机光检测器与有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一电极为金属电极。

17.如权利要求11所述的有机光检测器与有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一有机层与该第二有机层的材质包括并五苯。

18.如权利要求11所述的有机光检测器与有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一绝缘层与该第二绝缘层的材质包括氧化硅或氮化硅或二氧化硅。